--- 产品参数 ---
- 零件号 MASW-011151
- 描述 SPDT 反射式开关 DC - 67 GHz,超宽带
- 最大频率(MHz) 67000
- 插入损耗 (dB) 1.300
- IIP3(dBm) 52
- IP1dB(dBm) 28
- 包装类别 层压板
- 包裹 2.25 毫米,12 引线
--- 产品详情 ---
MASW-011151
SPDT 反射式开关 DC - 67 GHz,超宽带
MASW-011151 是一款反射式超宽带单刀双掷 (SPDT) 开关,在 55 GHz 时具有 1.7 dB 的插入损耗。功率处理能力为 26 dBm。直通路径中的输入和输出回波损耗通常为 16 dB。逻辑电平与标准 1.8、2.5 或 3.3 V CMOS 兼容。所需的偏置电源为 +3.3 V 和 -3.3 V。对于超宽带应用,RF 传输线上的阻抗匹配可以进一步优化高频插入损耗和回波损耗性能。
MASW-011151 专为测试和测量、航空航天和国防、蜂窝基础设施(5G 毫米波)、军用无线电、雷达、微波无线电和甚小孔径终端 (VSAT) 等宽带应用而设计。
MASW-011151 采用绝缘体上硅工艺制造。2.25 mm 层压封装无铅且符合 RoHS
SPDT 反射式开关 DC - 67 GHz,超宽带
MASW-011151 是一款反射式超宽带单刀双掷 (SPDT) 开关,在 55 GHz 时具有 1.7 dB 的插入损耗。功率处理能力为 26 dBm。直通路径中的输入和输出回波损耗通常为 16 dB。逻辑电平与标准 1.8、2.5 或 3.3 V CMOS 兼容。所需的偏置电源为 +3.3 V 和 -3.3 V。对于超宽带应用,RF 传输线上的阻抗匹配可以进一步优化高频插入损耗和回波损耗性能。
MASW-011151 专为测试和测量、航空航天和国防、蜂窝基础设施(5G 毫米波)、军用无线电、雷达、微波无线电和甚小孔径终端 (VSAT) 等宽带应用而设计。
MASW-011151 采用绝缘体上硅工艺制造。2.25 mm 层压封装无铅且符合 RoHS
特征
- 超宽带:9 kHz 至 67 GHz
- 输入 P1dB:27.5 dBm
- 输入 IP3:52 dBm
- 隔离度:45 dB @ 40 GHz
- 隔离度:36 dB @ 55 GHz
- 隔离度:33 dB @ 67 GHz
- 插入损耗:1.3 dB @ 40 GHz
- 插入损耗:1.7 dB @ 55 GHz
- 插入损耗:3.0 dB @ 67 GHz
- 每个射频端口的回波损耗:16 dB
- 包括热开关在内的功率处理能力:26 dBm
- 无低频杂散
- 兼容 1.8、2.5 和 3.3V CMOS 逻辑
- 2.25 毫米、12 引脚层压封装
- 符合 RoHS*
MASW6030G MASW-007074-000100 MASW-008206-000DIE
MASW-007075-000100 MASW-004103-1365 MA4AGSW1
MASWSS0181 MASW-010646 MASWSS0157
MASW-008801 MASW-001150-1316 MASW-008853-000000
MASW20000 MASW-001100-1190 MASW-009588
MASWSS0121 MA4SW610B-1 MASW-003102-13590
MASW-008177-000000 MA4SW210 MASW6010G
为你推荐
-
TGC4407-SM 射频混频器2024-05-13 14:32
产品型号:TGC4407-SM 射频频率:21500 至 32500 兆赫 本振频率:11000 至 16000 兆赫 中频频率:0 至 7000 兆赫 电源电流:65毫安 包裹:QFN -
AMMP-6333-TR1G 2024-05-13 12:32
产品型号:AMMP-6333-TR1G 頻率:18GHz ~ 33GHz 供電電流:230 mA 功耗:2 W 增益:16 dB 電源電壓:2 V -
MA4AGSW1A2023-09-20 19:00
产品型号:MA4AGSW1A 零件号:MA4AGSW1A 描述:50 MHz 至 50 GHz 的 SPST 引脚二极管开关 配置:单刀单掷 频率:50 MHz 至 50 GHz -
MAVR-011020-14110P2023-09-20 18:46
产品型号:MAVR-011020-14110P 零件号:MAVR-011020-14110P 描述:可焊接 GaAs 恒定伽马倒装芯片变容二极管 伽马:0.90 总电容(pF):0.025 -
MADP-000907-14020P2023-09-20 18:39
产品型号:MADP-000907-14020P 零件号:MADP-000907-14020P 描述:铝镓砷针二极管 击穿电压,最小值(V:45 电阻(欧姆):5.20 -
MAVR-000120-14110P2023-09-20 18:26
产品型号:MAVR-000120-14110P 零件号:MAVR-000120-14110P 描述:GaAs超突变 伽马:1.00 总电容(pF):0.350 -
MA4PBL0272023-09-20 18:17
产品型号:MA4PBL027 零件号:MA4PBL027 描述:硅PIN二极管 击穿电压,最小值(V:90 电阻(欧姆):4.00 -
SKY73035-11 射频混频器2023-07-10 17:40
产品型号:SKY73035-11 零件号:SKY73035-11 射频频率:2300 至 2700 兆赫 中频频率:50 至 500 兆赫 转换增益:7.6分贝 -
SKY73069-11 射频混频器2023-07-10 17:17
产品型号:SKY73069-11 零件号:SKY73069-11 描述:上变频混频器、下变频混频器 射频频率:700 至 1000 MHz 中频频率:50 至 300 兆赫 -
CDF7621-000 硅肖特基二极管芯片2023-07-10 15:20
产品型号:CDF7621-000 产品型号:CDF7621-000 C J (pF):0.10 V F @ 1 mA:270-350