MA4AGSW2
AlGaAs 反射式
MA4AGSW2 是一种铝-镓-砷、单刀双掷 (SPDT)、PIN 二极管开关。该开关采用增强型 AlGaAs 阳极，采用 MACOM 的专利异质结技术形成。与传统 GaAs 工艺相比，该技术产生的开关损耗更少。在 50GHz 时可实现多达 0.3 dB 的插入损耗降低。这些器件是在 OMCVD 外延晶片上制造的，采用的工艺旨在实现高器件均匀性和极低的寄生效应。二极管本身具有低串联电阻、低电容和快速开关速度。它们用氮化硅完全钝化，并具有额外的聚合物层以保护划痕。保护涂层可防止在处理和组装过程中损坏二极管结和阳极空气桥。需要片外偏置电路。AlGaAs 的高电子迁移率和 PIN 二极管的低电容使该开关成为快速开关、高频、多掷开关设计的理想选择。这些 AlGaAs PIN 开关用于雷达系统、辐射计、测试设备和其他多组件组件的开关阵列。
AlGaAs 反射式
MA4AGSW2 是一种铝-镓-砷、单刀双掷 (SPDT)、PIN 二极管开关。该开关采用增强型 AlGaAs 阳极，采用 MACOM 的专利异质结技术形成。与传统 GaAs 工艺相比，该技术产生的开关损耗更少。在 50GHz 时可实现多达 0.3 dB 的插入损耗降低。这些器件是在 OMCVD 外延晶片上制造的，采用的工艺旨在实现高器件均匀性和极低的寄生效应。二极管本身具有低串联电阻、低电容和快速开关速度。它们用氮化硅完全钝化，并具有额外的聚合物层以保护划痕。保护涂层可防止在处理和组装过程中损坏二极管结和阳极空气桥。需要片外偏置电路。AlGaAs 的高电子迁移率和 PIN 二极管的低电容使该开关成为快速开关、高频、多掷开关设计的理想选择。这些 AlGaAs PIN 开关用于雷达系统、辐射计、测试设备和其他多组件组件的开关阵列。
特征
- 超宽带宽：50 MHz 至 50 GHz
- 符合 RoHS*
- 低电流消耗：-10mA 用于低损耗状态，+10mA 用于隔离状态
- 50 GHz 时 33 dB 隔离
- 0.7分贝插入损耗
- 功能带宽：50 MHz 至 70 GHz
- 聚合物划痕保护
- 氮化硅钝化
- MACOM 独特的 AlGaAs 异质结阳极技术
- 260°C 回流兼容
作者：尤冬营
链接：https://zhuanlan.zhihu.com/p/558939299
来源：知乎
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