--- 产品参数 ---
- 零件号 MASWSS0204
- 描述 砷化镓高压
- 最小频率(MHz) 300
- 最大频率(MHz) 3000
- 隔离度(dB) 22
- 插入损耗 (dB) 0.300
- IIP3(dBm) 56
- 包裹 SC70(6L)/SOT-363
--- 产品详情 ---
MASWSS0204
砷化镓高压
MASWSS0204 是一款 GaAs pHEMT MMIC 单刀双掷 (SPDT) 大功率开关,采用低成本 SC70 六引线封装。MASWSS0204 非常适合需要高功率、低控制电压、低插入损耗、高隔离度、小尺寸和低成本的应用。典型应用是用于将单独的收发器和/或 GPS 功能连接到公共天线的 CDMA 手机系统,以及其他相关的手机和通用应用。MASWSS0204 可用于工作频率高达 3 GHz 的所有系统,这些系统需要在低控制电压下提供高功率。MASWSS0204 使用 0.5 微米栅极长度的 GaAs pHEMT 工艺制造。该工艺具有完全钝化的性能和可靠性。
砷化镓高压
MASWSS0204 是一款 GaAs pHEMT MMIC 单刀双掷 (SPDT) 大功率开关,采用低成本 SC70 六引线封装。MASWSS0204 非常适合需要高功率、低控制电压、低插入损耗、高隔离度、小尺寸和低成本的应用。典型应用是用于将单独的收发器和/或 GPS 功能连接到公共天线的 CDMA 手机系统,以及其他相关的手机和通用应用。MASWSS0204 可用于工作频率高达 3 GHz 的所有系统,这些系统需要在低控制电压下提供高功率。MASWSS0204 使用 0.5 微米栅极长度的 GaAs pHEMT 工艺制造。该工艺具有完全钝化的性能和可靠性。
特征
- 低电压操作:2.7 V
- 260°C 回流兼容
- 无卤“绿色”模塑料
- 无铅 SC70 封装
- 0.5 微米 GaAs pHEMT 工艺
- 高隔离度:1 GHz 时为 25 dB
- 低插入损耗:1 GHz 时为 0.30 dB
- 高 IP3:+56 dBm
- 符合 RoHS* 的 MASWSS0117 版本
MASWCC0009 MASWSS0204 MASW-011043
MASW-005102-13600 MASWSS0103 MASW-002102-13580
MASWSS0179 NPTB00004B MAGX-100027-015S0P
MAGX-101214-500L00 MAMG-102933-030 MAMG-103135-085
MAGX-102731-180 MAMG-100227-010 MAPG-102730-400
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