--- 产品参数 ---
- 零件号 MASW-011108-THE
- 描述 高功率反射式 SPDT PIN 二极管开关 6 - 18 G
- 最小频率(MHz) 6000
- 最大频率(MHz) 18000
- 隔离度(dB) 44
- 插入损耗 (dB) 0.600
- CW入射功率(W) 14.0
--- 产品详情 ---
MASW-011108-THE
高功率反射式 SPDT PIN 二极管开关 6 - 18 GHz
MASW-011108-DIE 是一款高功率对称 SPDT PIN 二极管开关。这种宽带、反射式、高线性度开关专为 6 - 18 GHz 应用而开发,这些应用需要高达 14 W 的功率处理能力,同时保持低插入损耗和高隔离度。
SPDT MMIC 采用了 MACOM 久经考验的 AlGaAs PIN 二极管技术。该开关采用氮化硅完全钝化,并添加了聚合物层以保护划痕。保护涂层可防止在处理和组装过程中损坏接头和阳极空气桥。管芯具有背面金属化以促进环氧树脂管芯连接工艺。
高功率反射式 SPDT PIN 二极管开关 6 - 18 GHz
MASW-011108-DIE 是一款高功率对称 SPDT PIN 二极管开关。这种宽带、反射式、高线性度开关专为 6 - 18 GHz 应用而开发,这些应用需要高达 14 W 的功率处理能力,同时保持低插入损耗和高隔离度。
SPDT MMIC 采用了 MACOM 久经考验的 AlGaAs PIN 二极管技术。该开关采用氮化硅完全钝化,并添加了聚合物层以保护划痕。保护涂层可防止在处理和组装过程中损坏接头和阳极空气桥。管芯具有背面金属化以促进环氧树脂管芯连接工艺。
特征
- 低损耗:0.6 dB @ 12 GHz
- 高隔离度:44 dB @ 12 GHz
- 高达 14 W CW 功率处理,+85°C
- 开关速度:<115 ns
- 集成直流模块和射频偏置网络
- 可选偏置电阻器
- 使用 GS RF Pads 和 DC Bias Pads 的芯片
- 符合 RoHS*
MA4SW510 MASW-000825-12770T MASW-007935-000000
MASW-007588-000000 MASWSS0143 MA4SW410B-1
MASW6030G MASW-007074-000100 MASW-008206-000DIE
MASW-007075-000100 MASW-004103-1365 MA4AGSW1
MASWSS0181 MASW-010646 MASWSS0157
MASW-008801 MASW-001150-1316 MASW-008853-000000
MASW20000 MASW-001100-1190 MASW-009588
MASWSS0121 MA4SW610B-1 MASW-003102-13590
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