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深圳市鑫琅图科技有限公司

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MASW-011111-DIE 是一款宽带 SP2T 开关

型号: MASW-011111-THE

--- 产品参数 ---

  • 零件号 MASW-011111-THE
  • 描述 带集成偏置电路的 AlGaAs SP2T PIN 二极管开关
  • 最小频率(MHz) 80000
  • 最大频率(MHz) 100000
  • 隔离度(dB) 25
  • 插入损耗 (dB) 0.800

--- 产品详情 ---

MASW-011111-THE

带集成偏置电路的 AlGaAs SP2T PIN 二极管开关宽带,80 - 100 GHz

MASW-011111-DIE 是一款宽带 SP2T 开关,采用 MACOM 的专利 AlGaAs PIN 二极管 MMIC 工艺在半绝缘 GaAs 基板上制造。该器件采用氮化硅完全钝化,并具有额外的 BCB 层以保护划痕。这种保护涂层可防止在自动或手动处理过程中损坏电路。

这些设备适用于拾取和放置插入。

每个射频端口都包含隔直电容和一个由高阻抗线路和射频径向短截线组成的直流偏置电路。该设备的所有射频和直流端口都有镀金焊盘。RF 和 DC 接地背面镀金允许使用 80Au/20Sn 焊料、Indalloy 焊料或导电银环氧树脂的传统芯片键合技术。

应用包括天文学、国防和安全应用中的卫星通信、毫米波雷达和 94 GHz 成像。

 

带集成偏置电路的 AlGaAs SP2T PIN 二极管开关宽带,80 - 100 GHz

 

MASW-011111-DIE 是一款宽带 SP2T 开关,采用 MACOM 的专利 AlGaAs PIN 二极管 MMIC 工艺在半绝缘 GaAs 基板上制造。该器件采用氮化硅完全钝化,并具有额外的 BCB 层以保护划痕。这种保护涂层可防止在自动或手动处理过程中损坏电路。

这些设备适用于拾取和放置插入。

每个射频端口都包含隔直电容和一个由高阻抗线路和射频径向短截线组成的直流偏置电路。该设备的所有射频和直流端口都有镀金焊盘。RF 和 DC 接地背面镀金允许使用 80Au/20Sn 焊料、Indalloy 焊料或导电银环氧树脂的传统芯片键合技术。

应用包括天文学、国防和安全应用中的卫星通信、毫米波雷达和 94 GHz 成像。

 

特征

  • 80 - 100 GHz 宽带工作频率
  • 0.8 分贝插入损耗
  • 25分贝隔离
  • 氮化硅钝化
  • BCB 划痕保护
  • 无铅 AlGaAs MMIC 芯片
  • 模具尺寸:1.33 x 1.055 x 0.1 毫米
  • 符合 RoHS*

 

MAOC-009265            MAOC-009268                 MAOC-009264

MAOC-009269            MAOC-009270                 MAOC-009267

MAOC-009260            MAOC-009259                 MAOC-009262

MASW-011148            MASW-011130-DIE             MASW-011087-DIE

MASW-011111-DIE        MASW-011128-DIE             MASW-011131

MASW-011135            MASW-011138                 MASW-011107-DIE        

MASW-011102            MASW-011105                 MASW-011029

MASW-011094            MASW-011098                 MASW – 011071

MASW-011060            MASW-002103-1364            MASW-009101

MASW-011041            MA4SW310                    MA4AGSW2 

MASWSS0115             MASW-006102-13610           MASWSS0091

MASW-000932            MASW-000834-13560T          MASW-005100-1194

 

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