企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

深圳市鑫琅图科技有限公司

射频微波器件代理销售

4.4k 内容数 23w+ 浏览量 62 粉丝

MAPC-A1501 是一款高功率 GaN 碳化硅 HEMT D 模式放大器

型号: MAPC-A1501

--- 产品参数 ---

  • 零件号 MAPC-A1501
  • 描述 GaN 放大器 65 V,1300 W 960 - 1215
  • 最小频率(MHz) 960
  • 最大频率(MHz) 1215
  • 电源电压(V) 65

--- 产品详情 ---

MAPC-A1501-ASTR1

GaN 放大器 65 V,1300 W 960 - 1215 MHz - MACOM PURE CARBIDE

MAPC-A1501 是一款高功率 GaN 碳化硅 HEMT D 模式放大器,适用于 960 - 1215 MHz 频率操作。该器件支持脉冲操作,65V 时输出功率水平为 1300 W (61.1 dBm),50V 时输出功率水平为 1000 W (60.0 dBm),采用气腔陶瓷封装。

 

GaN 放大器 65 V,1300 W 960 - 1215 MHz - MACOM PURE CARBIDE

 

MAPC-A1501 是一款高功率 GaN 碳化硅 HEMT D 模式放大器,适用于 960 - 1215 MHz 频率操作。该器件支持脉冲操作,65V 时输出功率水平为 1300 W (61.1 dBm),50V 时输出功率水平为 1000 W (60.0 dBm),采用气腔陶瓷封装。

 

特征

  • MACOM PURE CARBIDE™ 放大器系列
  • 适用于线性和饱和应用
  • 脉冲操作:1300 W 输出功率@65V
  • 脉冲操作:1000 W 输出功率@50V
  • 内部预匹配
  • 260°C 回流兼容
  • 65 伏操作
  • 100% 射频测试
  • 符合 RoHS*

 

产品规格

零件号

 

MAPC-A1501

描述

 

GaN 放大器 65 V,1300 W 960 - 1215 MHz - MACOM PURE CARBIDE

最小频率(MHz)

 

960

最大频率(MHz)

 

1215

电源电压(V)

 

65

PSAT(W)

 

1300.0

增益(dB)

 

17.2

效率

 

64.5

测试频率(GHz)

 

1.06

包裹

 

AC-780B-2

包装类别

 

气腔陶瓷封装

 

MAALSS0044 MAPC-S1504

MAAM-011229 MAPC-S1101

XL1000-BD MAPC-A2002

XL1002-BD MAPC-A1500

XL1010-BD MAPC-A1501

XL1010-QT MAPC-A1000

MAAL-011154 MAPC-A1100


 

为你推荐

  • TGC4407-SM 射频混频器2024-05-13 14:32

    产品型号:TGC4407-SM 射频频率:21500 至 32500 兆赫 本振频率:11000 至 16000 兆赫 中频频率:0 至 7000 兆赫 电源电流:65毫安 包裹:QFN
  • AMMP-6333-TR1G 2024-05-13 12:32

    产品型号:AMMP-6333-TR1G 頻率:18GHz ~ 33GHz 供電電流:230 mA 功耗:2 W 增益:16 dB 電源電壓:2 V
  • MA4AGSW1A2023-09-20 19:00

    产品型号:MA4AGSW1A 零件号:MA4AGSW1A 描述:50 MHz 至 50 GHz 的 SPST 引脚二极管开关 配置:单刀单掷 频率:50 MHz 至 50 GHz
  • MAVR-011020-14110P2023-09-20 18:46

    产品型号:MAVR-011020-14110P 零件号:MAVR-011020-14110P 描述:可焊接 GaAs 恒定伽马倒装芯片变容二极管 伽马:0.90 总电容(pF):0.025
  • MADP-000907-14020P2023-09-20 18:39

    产品型号:MADP-000907-14020P 零件号:MADP-000907-14020P 描述:铝镓砷针二极管 击穿电压,最小值(V:45 电阻(欧姆):5.20
  • MAVR-000120-14110P2023-09-20 18:26

    产品型号:MAVR-000120-14110P 零件号:MAVR-000120-14110P 描述:GaAs超突变 伽马:1.00 总电容(pF):0.350
  • MA4PBL0272023-09-20 18:17

    产品型号:MA4PBL027 零件号:MA4PBL027 描述:硅PIN二极管 击穿电压,最小值(V:90 电阻(欧姆):4.00
  • SKY73035-11 射频混频器2023-07-10 17:40

    产品型号:SKY73035-11 零件号:SKY73035-11 射频频率:2300 至 2700 兆赫 中频频率:50 至 500 兆赫 转换增益:7.6分贝
  • SKY73069-11 射频混频器2023-07-10 17:17

    产品型号:SKY73069-11 零件号:SKY73069-11 描述:上变频混频器、下变频混频器 射频频率:700 至 1000 MHz 中频频率:50 至 300 兆赫
  • CDF7621-000 硅肖特基二极管芯片2023-07-10 15:20

    产品型号:CDF7621-000 产品型号:CDF7621-000 C J (pF):0.10 V F @ 1 mA:270-350