MRF275L
TMOS
专为使用频率高达 500 MHz 的单端电路的宽带商业和军事应用而设计。该器件的高功率、高增益和宽带性能使固态发射机成为可能用于 FM 广播或电视频道频段。
TMOS
专为使用频率高达 500 MHz 的单端电路的宽带商业和军事应用而设计。该器件的高功率、高增益和宽带性能使固态发射机成为可能用于 FM 广播或电视频道频段。
特征
- N 沟道增强型器件
- 低热阻
- 在额定输出功率下进行了 100% 耐用性测试
- 保证性能 @ 500 MHz，28 Vdc：输出功率 — 100 W，功率增益 — 8.8 dB（典型值），效率 — 55%（典型值）
- 低 Crss — 17 pF 典型值。@VDS = 28V
产品规格
零件号
MRF275L
描述
TMOS
最小频率(MHz)
5个
最大频率(MHz)
500
偏压(V)
28.0
噘嘴（W）
100.00
增益（分贝）
8.80
效率（％）
55
类型
TMOS
包裹
法兰陶瓷包
包裹类别
陶瓷法兰安装
MRF429 MRF275L MRF175GU
MRF587 PH1214-55EL DU28120V
MRF175GV PH3134-65M MRF140
NPT2018 PH3135-65M MRF321
LF2805A MAPR-001090-350S00 PH3134-55L
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