MRF154
宽带射频功率 MOSFET 600W，至 80MHz，50V
主要设计用于 2.0 至 100 MHz 频率范围内的线性大信号输出级。
宽带射频功率 MOSFET 600W，至 80MHz，50V
主要设计用于 2.0 至 100 MHz 频率范围内的线性大信号输出级。
特征
- N沟道增强型MOSFET
- 指定的 50 伏特、30 MHz 特性 - 输出功率 = 600 瓦，功率增益 = 17 dB（典型值），效率 = 45%（典型值）
产品规格
零件号
MRF154
描述
宽带射频功率 MOSFET 600W，至 80MHz，50V
最小频率(MHz)
2个
最大频率(MHz)
100
偏压(V)
50.0
噘嘴（W）
600.00
增益（分贝）
17.00
效率（％）
45
类型
TMOS
包裹
法兰陶瓷包
包裹类别
陶瓷法兰安装
UF2815B MRF173CQ PH1090-175L
MRF166W MRF428 MRF134
MRF1150MB MRF16006 UF28100V
PH2226-110M PH3134-25M NPT2020
MRF10005 MRF175LU MRF313
MRF426 PH1214-220M MRF154
PH2729-110M MRF323 UF2805B
PH1214-100EL UF2840P DU2860T
