MRF151G
1 射频功率 MSOFET 晶体管 300 W、50 V、175 MHz N 沟道宽带 MOSFET
专为频率高达 175 MHz 的宽带商业和军事应用而设计。该器件的高功率、高增益和宽带性能使固态发射机成为可能用于 FM 广播或电视频道频段。
1 射频功率 MSOFET 晶体管 300 W、50 V、175 MHz N 沟道宽带 MOSFET
专为频率高达 175 MHz 的宽带商业和军事应用而设计。该器件的高功率、高增益和宽带性能使固态发射机成为可能用于 FM 广播或电视频道频段。
特征
- 在 175 MHz、50 V 时保证性能：
- 氮化物钝化管芯以提高可靠性
- 额定输出功率下的耐用性测试
- 低热阻 — 0.35°C/W
- 效率——50%
- 增益 — 14 dB（16 dB 典型值）
- 输出功率 — 300 瓦
产品规格
零件号
MRF151G
描述
1 射频功率 MSOFET 晶体管 300 W、50 V、175 MHz N 沟道宽带 MOSFET
最小频率(MHz)
5个
最大频率(MHz)
175
偏压(V)
50.0
噘嘴（W）
300.00
增益（分贝）
14:00
效率（％）
50
类型
TMOS
包裹
法兰陶瓷包
包裹类别
陶瓷法兰安装
MRF426 PH1214-220M MRF154
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