MRF160
RF MOSFET 系列：宽带功率 FET 4W，至 500MHz，28V
主要设计用于 30-500 MHz 的宽带大信号输出和驱动器。
RF MOSFET 系列：宽带功率 FET 4W，至 500MHz，28V
主要设计用于 30-500 MHz 的宽带大信号输出和驱动器。
特征
- N沟道增强型MOSFET
- 保证 28 V、500 MHz 性能：输出功率 = 4.0 W，增益 = 16 dB（最小值），效率 = 55%（典型值）
- 使用 30:1 VSWR 对所有相位角的负载失配进行 100% 测试
- 促进手动增益控制、aLS 和调制技术
- 出色的热稳定性，非常适合 A 类操作
- 低 Crss – VDS = 28V 时典型值为 0.8pF
产品规格
零件号
MRF160
描述
RF MOSFET 系列：宽带功率 FET 4W，至 500MHz，28V
最小频率(MHz)
30
最大频率(MHz)
500
偏压(V)
28.0
噘嘴（W）
4.00
增益（分贝）
16.00
效率（％）
55
类型
TMOS
包裹
法兰陶瓷包
包裹类别
陶瓷法兰安装
UF28100M MRF136Y UF28100H
UF2840G PH2731-5M PH3135-90S
MAPR-001214-380M00 DU2860U MRF1090MB
MRF160 MAPRST1030-1KS MRF314
MAPRST0912-50 PH3135-25S PH1214-40M
PH2729-65M MRF176GU MRF177
DU2840S PH2731-75L MRF141
UF2815B MRF173CQ PH1090-175L
MRF166W MRF428 MRF134
MRF1150MB MRF16006 UF28100V
