MRF150
射频功率 MOSFET 150W，至 150MHz，50V
主要设计用于高达 150 MHz 的线性大信号输出级。
射频功率 MOSFET 150W，至 150MHz，50V
主要设计用于高达 150 MHz 的线性大信号输出级。
特征
- 卓越的高阶 IMD - IMD(d3) (150W PEP)：–32dB（典型值），IMD(d11) (150W PEP)：–60dB（典型值）
- 指定的 50V、30MHz 特性 - 输出功率 = 150 瓦，功率增益 = 17 dB（典型值），效率 = 45%（典型值）
- 100% 测试所有相角的负载不匹配
产品规格
零件号
MRF150
描述
射频功率 MOSFET 150W，至 150MHz，50V
最小频率(MHz)
5个
最大频率(MHz)
150
偏压(V)
50.0
噘嘴（W）
150.00
增益（分贝）
17.00
效率（％）
45
类型
TMOS
包裹
法兰陶瓷包
包裹类别
陶瓷法兰安装
NPT2010 PH2226-50M MRF150
DU2880U PH1090-350L MRF1000MB
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