MRF151
射频功率 MOSFET 晶体管 150 W、50 V、175 MHz N 沟道宽带 MOSFET
专为频率高达 175 MHz 的宽带商业和军事应用而设计。该器件的高功率、高增益和宽带性能使固态发射机成为可能用于 FM 广播或电视频道频段。
射频功率 MOSFET 晶体管 150 W、50 V、175 MHz N 沟道宽带 MOSFET
专为频率高达 175 MHz 的宽带商业和军事应用而设计。该器件的高功率、高增益和宽带性能使固态发射机成为可能用于 FM 广播或电视频道频段。
特征
- 在 30 MHz、50 V 时保证性能：输出功率 — 150 W，增益 — 18 dB（22 dB 典型值），效率 — 40%
- 175 MHz、50 V 时的典型性能：输出功率 — 150 W，增益 — 13 dB，低热阻，在额定输出功率下测试坚固性，氮化物钝化管芯以增强可靠性
产品规格
零件号
MRF151
描述
射频功率 MOSFET 晶体管 150 W、50 V、175 MHz N 沟道宽带 MOSFET
最小频率(MHz)
5个
最大频率(MHz)
175
偏压(V)
50.0
噘嘴（W）
150.00
增益（分贝）
13:00
效率（％）
40
类型
TMOS
包裹
法兰陶瓷包
包裹类别
陶瓷法兰安装
PH1113-100 PH1617-2 PH3135-5M
MRF317 PH1214-300M MAPR-001011-850S00
PH1090-75L DU28120T PH2856-160
DU1215S PH1214-6M PH3135-20M
DU2820S MRF392 PH3134-20L
PH1214-25L MRF10150 MRF454
MRF422 MRF151 MRF275G
MRF10120 MAPRST0912-350 PH1090-550S
