MRF174
RF MOSFET 系列 125W，200MHz
主要设计用于高达 200 MHz 频率范围的宽带大信号输出和驱动级。
RF MOSFET 系列 125W，200MHz
主要设计用于高达 200 MHz 频率范围的宽带大信号输出和驱动级。
特征
- N 沟道增强型 MOSFET
- 使用 30:1 VSWRTesdtedc 100% 测试所有相位角的负载不匹配
- 促进手动增益控制、ALC 和调制技术
- 优异的热稳定性；适合 A 类操作的理想套件
- 在 150 MHz、28 Vdc 时保证性能：输出功率 = 125 W，最小增益 = 9.0 dB，效率 = 50%（最小值）
- 低噪声系数 — 在 2.0 A、150 MHz 时为 3.0 dB（典型值）
产品规格
零件号
MRF174
描述
RF MOSFET 系列 125W，200MHz
最小频率(MHz)
5个
最大频率(MHz)
200
噘嘴（W）
125.00
增益（分贝）
9.00
效率（％）
50
类型
TMOS
包裹
法兰陶瓷包
包裹类别
陶瓷法兰安装
PH2729-110M MRF323 UF2805B
PH1214-100EL UF2840P DU2860T
PH1214-25M UF2820P MRF151A
PH1214-110M MRF173 UF28150J
MRF174 PH1214-3L MRF151G
PH1214-80M DU2810S 2N6439
DU2805S PH1214-0.85L PH3134-10M
PH1214-12M PH3134-30S DU2880T
MRF316 PH2729-130M PH2729-8.5M
