MA4ST1241-1141T
低电压、低 Rs Si Hyperabrupt
MACOM 的 MA4ST1200 系列是一种高度可重复的 UHCVD/离子注入超突变硅调谐变容二极管，采用经济高效的表面贴装封装。该系列变容二极管专为高电容比和低电池电压操作的高 Q 值而设计。它对于电源电压限制在 5 伏或更低的宽带调谐和低相位噪声应用非常有效。变容二极管在 SC-79 和 SOD-323 中作为单管提供，并在 SC-70、3 引线中提供共阴极版本。这些二极管提供标准 Sn/Pb 镀层，以及我们符合 RohS 标准的等效设备上的 100% 哑光 Sn 镀层。
低电压、低 Rs Si Hyperabrupt
MACOM 的 MA4ST1200 系列是一种高度可重复的 UHCVD/离子注入超突变硅调谐变容二极管，采用经济高效的表面贴装封装。该系列变容二极管专为高电容比和低电池电压操作的高 Q 值而设计。它对于电源电压限制在 5 伏或更低的宽带调谐和低相位噪声应用非常有效。变容二极管在 SC-79 和 SOD-323 中作为单管提供，并在 SC-70、3 引线中提供共阴极版本。这些二极管提供标准 Sn/Pb 镀层，以及我们符合 RohS 标准的等效设备上的 100% 哑光 Sn 镀层。
特征
- 低调谐电压下的低串联电阻
- 260°C 回流兼容
- 符合 RoHS 标准
- 无铅
- 具有卓越 C 与 V 可重复性的 SPC 工艺
- 表面贴装塑料封装：SC-79、SOD-323、SC-70 ( 3L )
- 低调谐电压下的高电容比
应用
- 主义
产品规格
零件号
MA4ST1241-1141T
描述
低电压、低 Rs Si Hyperabrupt
伽马
1.00
总电容(pF)
3.400
品质因数 @ 50 MHz，最小值
1200
击穿电压(V)
12
包裹
ODS-1141
包裹类别
塑料表面贴装
MA46470-120 MA46474-120 MA46483-186
MA46H146 MA46H200-1056 MA46585-1209
MA46470-134 MA46H202-1056 MA46452-134
MA46H204-1088 MAVR-000340-0287FT MA46481-186
MA46600-134 MA46477-186 MA46472-94
MA46418-30 MA46485-120 MA46473-186
MAVR-000404-0287AT MAVR-001330-11410T MAVR-000405-0287AT
MA4ST1241-1141T MAVR-000120-12030W MAVR-045439-0287AT
