MAVR-000082-0287AT
硅超突变
MAVR-000080 - 83 系列硅超突变结调谐变容器采用离子注入和先进的外延生长技术生产。这些二极管具有热氧化钝化，具有非常高的电容比和品质因数。它们非常适合从亚高频到超高频频率范围使用。标准电容容差为 ±10%，可提供更严格的容差。还可以在一个或多个偏置电压下进行电容匹配。这些二极管提供标准 Sn/Pb 镀层，以及 100% 哑光 Sn 镀层。应用 该系列的超突变结调谐变容二极管建议用于需要大频率变化而调谐电压仅发生微小变化的情况。该系列适用于需要最大电容随电压变化率的宽带压控振荡器和压控滤波器。电容从 1 到 8 伏特的巨大变化使它们对于电池供电或其他可用控制电压有限的系统非常有吸引力。该变容二极管系列可用于从大约 100 KHz 到 UHF 频段的 VCO 和 VTF
硅超突变
MAVR-000080 - 83 系列硅超突变结调谐变容器采用离子注入和先进的外延生长技术生产。这些二极管具有热氧化钝化，具有非常高的电容比和品质因数。它们非常适合从亚高频到超高频频率范围使用。标准电容容差为 ±10%，可提供更严格的容差。还可以在一个或多个偏置电压下进行电容匹配。这些二极管提供标准 Sn/Pb 镀层，以及 100% 哑光 Sn 镀层。应用 该系列的超突变结调谐变容二极管建议用于需要大频率变化而调谐电压仅发生微小变化的情况。该系列适用于需要最大电容随电压变化率的宽带压控振荡器和压控滤波器。电容从 1 到 8 伏特的巨大变化使它们对于电池供电或其他可用控制电压有限的系统非常有吸引力。该变容二极管系列可用于从大约 100 KHz 到 UHF 频段的 VCO 和 VTF
特征
- 低成本
- 符合 RoHS 标准
- 260°C 回流兼容
- 无铅
- 卷带包装
- 单阴极和共阴极对
- SPC 监测离子注入以实现出色的 CV 重复性
- 适用于电池应用
- 高质量因子
- 表面贴装封装
- 从 1 到 8 伏的非常高的电容比
应用
- 主义
产品规格
零件号
MAVR-000082-0287AT
描述
硅超突变
伽马
1.30
总电容(pF)
7.300
品质因数 @ 50 MHz，最小值
350
击穿电压(V)
12
包裹
ODS-287
包裹类别
塑料表面贴装
MAVR-000082-0287AT MAVR-045446-0287AT MAVR-000409-0287AT
MAVR-000230-11410T MAVR-001240-12790T MAVR-000340-11410T
MAVR-000407-0287AT MAVR-000404-0287FT MA4ST1231-1141T
MAVR-001330-12790T MA46480-134 MAVR-000401-0287AT
MAVR-000401-0287FT MA46603-134 MAVR-000081-0287AT
MAVR-000083-0287AT MA46472-134 MAVR-000079-0287FT
MAVR-000083-0287FT MAVR-000080-0287FT MAVR-001320-11410T
MAVR-045441-0287AT MAVR-000406-0287FT MAVR-045438-0287FT
MAVR-001350-1146FT MAVR-001350-12790T MAVR-000146-12030W
MAVR-001340-11410T MAVR-045438-0287AT MAVR-000405-0287FT
MAVR-000320-0287AT MAVR-000403-0287FT MAVR-045440-0287FT
MAVR-045445-0287AT MAVR-000080-0287AT MAVR-000240-11410T
