--- 产品参数 ---
- 零件号 MAVR-001330-12790T
- 描述 低电压、低 Rs Si Hyperabrupt
- 伽马 1.00
- 总电容(pF) 13.200
- 击穿电压(V) 12
--- 产品详情 ---
MAVR-001330-12790T
低电压、低 Rs Si Hyperabrupt
MACOM 的 MA4ST1300 系列是一种高度可重复的 UHCVD/离子注入超突变硅调谐变容二极管,采用经济高效的表面贴装封装。该系列变容二极管专为高电容比和低电池电压操作的高 Q 值而设计。它对于电源电压限制在 5 伏或更低的宽带调谐和低相位噪声应用非常有效。变容二极管在 SC-79 和 SOD-323 中作为单电源提供,在 SC-70 中提供共阴极版本,3 引线。这些二极管提供标准 Sn/Pb 电镀,以及我们符合 RoHs 标准的等效设备上的 100% 哑光 Sn 电镀。
低电压、低 Rs Si Hyperabrupt
MACOM 的 MA4ST1300 系列是一种高度可重复的 UHCVD/离子注入超突变硅调谐变容二极管,采用经济高效的表面贴装封装。该系列变容二极管专为高电容比和低电池电压操作的高 Q 值而设计。它对于电源电压限制在 5 伏或更低的宽带调谐和低相位噪声应用非常有效。变容二极管在 SC-79 和 SOD-323 中作为单电源提供,在 SC-70 中提供共阴极版本,3 引线。这些二极管提供标准 Sn/Pb 电镀,以及我们符合 RoHs 标准的等效设备上的 100% 哑光 Sn 电镀。
特征
- 低调谐电压下的低串联电阻
- 符合 RoHS 标准
- 260°C 回流兼容
- 无铅
- 具有卓越 C 与 V 可重复性的 SPC 工艺
- 表面贴装塑料封装:SC-79、SOD-323、SC-70 (3L)(提供其他封装和配置)
- 低调谐电压下的高电容比
产品规格
零件号
MAVR-001330-12790T
描述
低电压、低 Rs Si Hyperabrupt
伽马
1.00
总电容(pF)
13.200
品质因数 @ 50 MHz,最小值
530
击穿电压(V)
12
包裹
ODS-1279
包裹类别
塑料表面贴装
MAVR-001330-12790T MA46480-134 MAVR-000401-0287AT
MAVR-000401-0287FT MA46603-134 MAVR-000081-0287AT
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MAVR-000083-0287FT MAVR-000080-0287FT MAVR-001320-11410T
MAVR-045441-0287AT MAVR-000406-0287FT MAVR-045438-0287FT
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