MAVR-001230-12790T
低电压、低 Rs Si Hyperabrupt
MACOM 的 MA4ST1200 系列是一种高度可重复的 UHCVD/离子注入超突变硅调谐变容二极管，采用经济高效的表面贴装封装。该系列变容二极管专为高电容比和低电池电压操作的高 Q 值而设计。它对于电源电压限制在 5 伏或更低的宽带调谐和低相位噪声应用非常有效。变容二极管在 SC-79 和 SOD-323 中作为单管提供，并在 SC-70、3 引线中提供共阴极版本。这些二极管提供标准 Sn/Pb 镀层，以及我们符合 RohS 标准的等效设备上的 100% 哑光 Sn 镀层。
低电压、低 Rs Si Hyperabrupt
MACOM 的 MA4ST1200 系列是一种高度可重复的 UHCVD/离子注入超突变硅调谐变容二极管，采用经济高效的表面贴装封装。该系列变容二极管专为高电容比和低电池电压操作的高 Q 值而设计。它对于电源电压限制在 5 伏或更低的宽带调谐和低相位噪声应用非常有效。变容二极管在 SC-79 和 SOD-323 中作为单管提供，并在 SC-70、3 引线中提供共阴极版本。这些二极管提供标准 Sn/Pb 镀层，以及我们符合 RohS 标准的等效设备上的 100% 哑光 Sn 镀层。
特征
- 低调谐电压下的低串联电阻
- 符合 RoHS 标准
- 260°C 回流兼容
- 无铅
- 具有卓越 C 与 V 可重复性的 SPC 工艺
- 表面贴装塑料封装：SC-79、SOD-323、SC-70 ( 3L )
- 低调谐电压下的高电容比
应用
- 主义
产品规格
零件号
MAVR-001230-12790T
描述
低电压、低 Rs Si Hyperabrupt
伽马
1.00
总电容(pF)
4.700
品质因数 @ 50 MHz，最小值
1700
击穿电压(V)
12
包裹
ODS-1279
包裹类别
塑料表面贴装
MAVR-001230-12790T MAVR-000250-0287FT MAVR-000250-11410T
MAVR-000403-0287AT MAVR-000120-14110P MA144769-287T
MAVR-000250-0287AT MAVR-000250-12790T MAVR-000250-1146AT
MAVR-000250-1146FT MAVR-044767-0287AT MAVR-000120-14110G
MAVR-044769-0287FT MAVR-044769-12790T MAVR-044767-12790T
MGV125-20 MGV125-09 MGV100-24-0805-2
MGV100-20-H20 MGV100-23-E28 / 28 X MGV075-16-P55
MGV075-14-0805-2 MGV100-24-H20 MGV125-08
MGV125-24-P55 MGV075-13-0805-2 MGV075-13-E28 / 28 X
MGV100-25 MGV100-21 MGV100-20
