MAVR-000120-14110P
GaAs超突变
MACOM 的 MAVR-000120-1411 是一种砷化镓倒装芯片超突变变容二极管。该器件是在 OMCVD 外延晶圆上制造的，采用专为实现高器件均匀性和极低寄生效应而设计的工艺。该二极管已用氮化硅完全钝化，并具有额外的聚酰亚胺层以防止划伤。保护涂层可防止在自动或手动处理过程中损坏接头。倒装芯片配置适用于拾取和放置插入。
GaAs超突变
MACOM 的 MAVR-000120-1411 是一种砷化镓倒装芯片超突变变容二极管。该器件是在 OMCVD 外延晶圆上制造的，采用专为实现高器件均匀性和极低寄生效应而设计的工艺。该二极管已用氮化硅完全钝化，并具有额外的聚酰亚胺层以防止划伤。保护涂层可防止在自动或手动处理过程中损坏接头。倒装芯片配置适用于拾取和放置插入。
特征
- 过去 70GHz 可用
- 可以用焊料或导电环氧树脂安装。
- 可承受 500 次温度循环（-65 摄氏度至 +150 摄氏度），使用 96.5Sn/3.5Ag 焊料安装，无机械退化。
- 提供口袋胶带和卷轴。
- 无铅（符合 RoHs 标准）
- 表面贴装配置
- 聚酰亚胺划痕保护
- 氮化硅钝化
- 高Q值
- 低寄生电容
- 用于线性调谐的恒定伽玛
产品规格
零件号
MAVR-000120-14110P
描述
GaAs超突变
伽马
1.00
总电容(pF)
0.350
品质因数 @ 50 MHz，最小值
3000
击穿电压(V)
20
包裹
倒装芯片芯片
包裹类别
可焊表面贴装芯片
MAVR-045445-0287AT MAVR-000080-0287AT MAVR-000240-11410T
MAVR-001320-1146FT MAVR-000202-12790T MAVR-045436-0287FT
MAVR-001330-1146FT MAVR-000350-11410T MAVR-000407-0287FT
MAVR-045441-0287FT MAVR-000081-0287FT MAVR-011005-12790T
MAVR-001230-12790T MAVR-000250-0287FT MAVR-000250-11410T
MAVR-000403-0287AT MAVR-000120-14110P MA144769-287T
MAVR-000250-0287AT MAVR-000250-12790T MAVR-000250-1146AT
MAVR-000250-1146FT MAVR-044767-0287AT MAVR-000120-14110G
MAVR-044769-0287FT MAVR-044769-12790T MAVR-044767-12790T
MGV125-20 MGV125-09 MGV100-24-0805-2
