--- 产品参数 ---
- 零件号 MSS50-CR53-H40
- 描述 硅肖特基 N 型二极管:高势垒
- Vf(V) 0.5000
- Vb 4.00
- 总电容(pF) 0.330
--- 产品详情 ---
MSS50-CR53-H40
硅肖特基 N 型二极管:高势垒
MSS50,000 系列肖特基二极管采用专有工艺在 N 型外延基板上制造,可产生业内最高的 FCO。每个二极管的 LO 功率为 +2 dBm 至 +8 dBm,可获得最佳混频器和检测器性能。这些也可用于倍增器、限幅器、检测器和采样器应用。
硅肖特基 N 型二极管:高势垒
MSS50,000 系列肖特基二极管采用专有工艺在 N 型外延基板上制造,可产生业内最高的 FCO。每个二极管的 LO 功率为 +2 dBm 至 +8 dBm,可获得最佳混频器和检测器性能。这些也可用于倍增器、限幅器、检测器和采样器应用。
特征
- VF、RD 和 CJ 匹配选项。
- 提供符合 MIL-PRF-19500 和 MIL-PRF-38534 的高可靠性筛选
- 芯片、梁式引线或封装器件。
产品规格
零件号
MSS50-CR53-H40
描述
硅肖特基 N 型二极管:高势垒
Vf(V)
0.5000
Vb
4.00
总电容(pF)
0.330
动态电阻(欧姆)
15.0
包裹类别
陶瓷封装
包裹
H40
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