MA4E1318
GaAs倒装芯片反并联
MACOM的MA4E1317单管、MA4E1318反并联对、MA4E1319-1反三通、MA4E1319-2串联三通和MA4E2160未接反并联对均为砷化镓倒装芯片肖特基势垒二极管。这些器件是在 OMCVD 外延晶圆上制造的，采用专为实现高器件均匀性和极低寄生效应而设计的工艺。二极管用氮化硅完全钝化，并有一层额外的聚酰亚胺层以防止划伤。保护涂层可防止在自动或手动处理过程中损坏接头。倒装芯片配置适用于拾取和放置插入。这些二极管的高截止频率允许使用毫米波频率。典型应用包括 PCN 收发器和无线电中的单平衡和双平衡混频器、警用雷达探测器、和汽车雷达探测器。这些设备可在 80 GHz 以下使用。MA4E1318 反并联对设计用于次谐波泵浦混频器。二极管特性的紧密匹配导致 RF 输入端的高 LO 抑制。
GaAs倒装芯片反并联
MACOM的MA4E1317单管、MA4E1318反并联对、MA4E1319-1反三通、MA4E1319-2串联三通和MA4E2160未接反并联对均为砷化镓倒装芯片肖特基势垒二极管。这些器件是在 OMCVD 外延晶圆上制造的，采用专为实现高器件均匀性和极低寄生效应而设计的工艺。二极管用氮化硅完全钝化，并有一层额外的聚酰亚胺层以防止划伤。保护涂层可防止在自动或手动处理过程中损坏接头。倒装芯片配置适用于拾取和放置插入。这些二极管的高截止频率允许使用毫米波频率。典型应用包括 PCN 收发器和无线电中的单平衡和双平衡混频器、警用雷达探测器、和汽车雷达探测器。这些设备可在 80 GHz 以下使用。MA4E1318 反并联对设计用于次谐波泵浦混频器。二极管特性的紧密匹配导致 RF 输入端的高 LO 抑制。
特征
- 低串联电阻
- 专为轻松插入电路而设计
- 聚酰亚胺划痕保护
- 氮化硅钝化
- 高截止频率
- 低电容
产品规格
零件号
MA4E1318
描述
GaAs倒装芯片反并联
Vf(V)
0.8000
Vb
4.50
总电容(pF)
0.090
动态电阻（欧姆）
4.0
结电容(pF)
0.090
包裹类别
表面贴装模具
包裹
ODS-1197
