MA4E2501L-1290
低势垒硅单
MA4E2501L-1290 SURMOUNT 二极管是采用获得专利的异石微波集成电路 (HMIC™) 工艺制造的硅低势垒肖特基器件。HMIC™ 电路由形成二极管的硅基座或嵌入玻璃电介质中的导体构成，玻璃电介质充当低色散微带传输介质。硅和玻璃的结合使 HMIC™ 器件在薄型、可靠的设备中具有出色的损耗和功耗特性。Surmount 肖特基器件是要求梁式引线器件的小寄生效应与芯片的卓越机械性能相结合的电路的绝佳选择。SURMOUNT 结构采用电阻极低的硅通孔将肖特基触点连接到芯片底部表面的金属化安装焊盘。这些设备是可靠的、可重复的，并且是比传统设备成本更低的解决方案0201”轮廓允许表面贴装放置和多功能极性方向。建议将 MA4E2501L-1290 SURMOUNT 低势垒肖特基二极管用于 Ku 波段频率的微波电路，以用于低功率应用，例如混频器、次谐波混频器、检测器和限幅器。
低势垒硅单
MA4E2501L-1290 SURMOUNT 二极管是采用获得专利的异石微波集成电路 (HMIC™) 工艺制造的硅低势垒肖特基器件。HMIC™ 电路由形成二极管的硅基座或嵌入玻璃电介质中的导体构成，玻璃电介质充当低色散微带传输介质。硅和玻璃的结合使 HMIC™ 器件在薄型、可靠的设备中具有出色的损耗和功耗特性。Surmount 肖特基器件是要求梁式引线器件的小寄生效应与芯片的卓越机械性能相结合的电路的绝佳选择。SURMOUNT 结构采用电阻极低的硅通孔将肖特基触点连接到芯片底部表面的金属化安装焊盘。这些设备是可靠的、可重复的，并且是比传统设备成本更低的解决方案。制造 Surmount 肖特基结时采用的多层金属化包括铂扩散阻挡层，它允许所有器件在 300°C 下进行 16 小时的非工作稳定烘烤。极小的“0201”轮廓允许表面贴装放置和多功能极性方向。建议将 MA4E2501L-1290 SURMOUNT 低势垒肖特基二极管用于 Ku 波段频率的微波电路，以用于低功率应用，例如混频器、次谐波混频器、检测器和限幅器。制造 Surmount 肖特基结时采用的多层金属化包括铂扩散阻挡层，它允许所有器件在 300°C 下进行 16 小时的非工作稳定烘烤。极小的“0201”轮廓允许表面贴装放置和多功能极性方向。建议将 MA4E2501L-1290 SURMOUNT 低势垒肖特基二极管用于 Ku 波段频率的微波电路，以用于低功率应用，例如混频器、次谐波混频器、检测器和限幅器。制造 Surmount 肖特基结时采用的多层金属化包括铂扩散阻挡层，它允许所有器件在 300°C 下进行 16 小时的非工作稳定烘烤。极小的“0201”轮廓允许表面贴装放置和多功能极性方向。建议将 MA4E2501L-1290 SURMOUNT 低势垒肖特基二极管用于 Ku 波段频率的微波电路，以用于低功率应用，例如混频器、次谐波混频器、检测器和限幅器。
特征
- 极低的寄生电容和电感
- 提供袖珍卷带包装
- 具有扩散屏障的可靠多层金属化，100% 稳定烘烤（300°C，16 小时）
- 具有聚酰亚胺防刮擦保护的坚固 HMIC 结构
- 可表面贴装在微波电路中。无需引线键合
- 极小的 0201 (600x300um) 封装
产品规格
零件号
MA4E2501L-1290
描述
低势垒硅单
Vf(V)
0.3300
Vb
5.00
总电容(pF)
0.120
动态电阻（欧姆）
10.0
结电容(pF)
0.120
包裹类别
表面贴装模具
包裹
ODS-1290
