UCC27211AQDDARQ1，120V 升压4A 峰值电流的高频高侧和低侧驱动器
UCC27211AQDDARQ1，120V 升压4A 峰值电流的高频高侧和低侧驱动器
UCC27211AQDDARQ1，120V 升压4A 峰值电流的高频高侧和低侧驱动器
UCC27211AQDDARQ1，120V 升压4A 峰值电流的高频高侧和低侧驱动器
UCC27211AQDDARQ1，120V 升压4A 峰值电流的高频高侧和低侧驱动器
UCC27211AQDDARQ1，120V 升压4A 峰值电流的高频高侧和低侧驱动器
UCC27211AQDDARQ1，120V 升压4A 峰值电流的高频高侧和低侧驱动器
UCC27211AQDDARQ1，120V 升压4A 峰值电流的高频高侧和低侧驱动器
UCC27211AQDDARQ1
器件驱动器基于广受欢迎的
UCC27211AQDDARQ1 MOSFET 驱动器；但该器件相比之下具有显著的性能提升。
峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A 拉电流和
4A 灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω，
因此可以在MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可
能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能
够直接处理-10 VDC，这提高了稳健耐用性，并且无
需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对
接。此输入与电源电压无关，并且具有20V 的最大额定值。
1 特性
1• 适用于汽车电子应用
• 具有符合AEC-Q100 标准的下列结果：
– 器件温度等级：–40°C 至+140°C 的工作环境
温度范围
– 器件人体放电模式(HBM) 分类等级2
– 器件组件充电模式(CDM) 分类等级C6
• 可通过独立输入驱动两个采用高侧/低侧配置的N
沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
• 最大引导电压120V 直流
• 4A 吸收，4A 源输出电流
• 0.9Ω 上拉和下拉电阻
• 输入引脚能够耐受–10V 至+20V 的电压，并且与
电源电压范围无关
• TTL 兼容输入
• 8V 至17V VDD 运行范围（绝对最大值20V）
• 7.2ns 上升时间和5.5ns 下降时间（采用1000pF
负载时）
• 快速传播延迟时间（典型值20ns）
• 4ns 延迟匹配
• 用于高侧和低侧驱动器的对称欠压锁定功能
• 采用行业标准SO-PowerPAD SOIC-8 封装
• －40℃ 至+140°C 的额定温度范围
2 应用
• 针对电信，数据通信和商用的电源
• 半桥和全桥转换器
• 推挽转换器
• 高电压同步降压型转换器
• 两开关正激式转换器
• 有源箝位正激式转换器
• D 类音频放大器
