--- 产品参数 ---
- 零件号 MADS-001317-1500AG
- 描述 GaAs 可焊肖特基倒装芯片
- Vf(V) 0.7000
- Vb 4.50
- 总电容(pF) 0.050
--- 产品详情 ---
MADS-001317-1500AG
GaAs 可焊肖特基倒装芯片
MACOM的MADS-001317-1500单颗是砷化镓倒装芯片肖特基势垒二极管。该器件采用 OMCVD 外延材料制造,采用专为实现高器件均匀性和极低寄生效应而设计的工艺。该二极管已用氮化硅完全钝化,并具有额外的聚酰亚胺层以防止划伤。保护涂层可防止在自动或手动处理过程中损坏接头。倒装芯片配置适用于拾取和放置插入。该器件可以用焊料或导电环氧树脂连接。该二极管的高截止频率允许通过毫米波频率使用。典型应用包括 PCN 收发器和无线电中的单平衡和双平衡混频器、警用雷达探测器和汽车雷达探测器。
GaAs 可焊肖特基倒装芯片
MACOM的MADS-001317-1500单颗是砷化镓倒装芯片肖特基势垒二极管。该器件采用 OMCVD 外延材料制造,采用专为实现高器件均匀性和极低寄生效应而设计的工艺。该二极管已用氮化硅完全钝化,并具有额外的聚酰亚胺层以防止划伤。保护涂层可防止在自动或手动处理过程中损坏接头。倒装芯片配置适用于拾取和放置插入。该器件可以用焊料或导电环氧树脂连接。该二极管的高截止频率允许通过毫米波频率使用。典型应用包括 PCN 收发器和无线电中的单平衡和双平衡混频器、警用雷达探测器和汽车雷达探测器。
特征
- 过去 80GHz 可用
- 可以用焊料或导电环氧树脂安装
- 提供袖珍卷带包装
- 专为轻松插入电路而设计
- 无铅(符合 RoHS 标准)
- 聚酰亚胺划痕保护
- 氮化硅钝化
- 高截止频率
- 低电容
- 低串联电阻
产品规格
零件号
MADS-001317-1500AG
描述
GaAs 可焊肖特基倒装芯片
Vf(V)
0.7000
Vb
4.50
总电容(pF)
0.050
动态电阻(欧姆)
4.0
结电容(pF)
0.050
包裹类别
表面贴装模具
包裹
ODS-1500
为你推荐
-
TGC4407-SM 射频混频器2024-05-13 14:32
产品型号:TGC4407-SM 射频频率:21500 至 32500 兆赫 本振频率:11000 至 16000 兆赫 中频频率:0 至 7000 兆赫 电源电流:65毫安 包裹:QFN -
AMMP-6333-TR1G 2024-05-13 12:32
产品型号:AMMP-6333-TR1G 頻率:18GHz ~ 33GHz 供電電流:230 mA 功耗:2 W 增益:16 dB 電源電壓:2 V -
MA4AGSW1A2023-09-20 19:00
产品型号:MA4AGSW1A 零件号:MA4AGSW1A 描述:50 MHz 至 50 GHz 的 SPST 引脚二极管开关 配置:单刀单掷 频率:50 MHz 至 50 GHz -
MAVR-011020-14110P2023-09-20 18:46
产品型号:MAVR-011020-14110P 零件号:MAVR-011020-14110P 描述:可焊接 GaAs 恒定伽马倒装芯片变容二极管 伽马:0.90 总电容(pF):0.025 -
MADP-000907-14020P2023-09-20 18:39
产品型号:MADP-000907-14020P 零件号:MADP-000907-14020P 描述:铝镓砷针二极管 击穿电压,最小值(V:45 电阻(欧姆):5.20 -
MAVR-000120-14110P2023-09-20 18:26
产品型号:MAVR-000120-14110P 零件号:MAVR-000120-14110P 描述:GaAs超突变 伽马:1.00 总电容(pF):0.350 -
MA4PBL0272023-09-20 18:17
产品型号:MA4PBL027 零件号:MA4PBL027 描述:硅PIN二极管 击穿电压,最小值(V:90 电阻(欧姆):4.00 -
SKY73035-11 射频混频器2023-07-10 17:40
产品型号:SKY73035-11 零件号:SKY73035-11 射频频率:2300 至 2700 兆赫 中频频率:50 至 500 兆赫 转换增益:7.6分贝 -
SKY73069-11 射频混频器2023-07-10 17:17
产品型号:SKY73069-11 零件号:SKY73069-11 描述:上变频混频器、下变频混频器 射频频率:700 至 1000 MHz 中频频率:50 至 300 兆赫 -
CDF7621-000 硅肖特基二极管芯片2023-07-10 15:20
产品型号:CDF7621-000 产品型号:CDF7621-000 C J (pF):0.10 V F @ 1 mA:270-350