MMDB30-0402
硅阶跃恢复二极管
与封装或芯片器件相比，Silicon Mesa Beam Lead Step Recovery 二极管具有低电容、非常快的转换时间和低电感以及低寄生电容。快速转换时间使这些器件可用于 40 GHz 及更高频率的快速采样栅极驱动器、倍频器和梳状发生器。
硅阶跃恢复二极管
与封装或芯片器件相比，Silicon Mesa Beam Lead Step Recovery 二极管具有低电容、非常快的转换时间和低电感以及低寄生电容。快速转换时间使这些器件可用于 40 GHz 及更高频率的快速采样栅极驱动器、倍频器和梳状发生器。
特征
- 低电感
- 50 个系统中的转换时间降至 30 皮秒
- 坚固的梁引线结构
- 氧化物和聚酰亚胺钝化
产品规格
零件号
MMDB30-0402
描述
硅阶跃恢复二极管
寿命(ns)
4个
反向电压，最小值 (V)
14
Tt(pS)
0
总电容最小值 (pF)(pF)
0.30
总电容最大值 (pF)(pF)
0.30
包裹
402
包裹类别
表面贴装
