--- 产品参数 ---
- 零件号 CA1212
- 描述 (非 RoHS)可级联,低电压
- 最小频率(MHz) 100
- 最大频率(MHz) 1200
- 增益(分贝) 14.0
--- 产品详情 ---
CA1212
(非 RoHS)可级联,低电压
CA1212 RF (A1212) 连接器版放大器采用分立式混合设计,采用薄膜制造工艺实现精确性能和高可靠性。这种反馈放大器设计使用 2 个并联的 GaAs FET 晶体管,并在宽带频率范围内显示出令人印象深刻的性能特征。射频扼流圈用于直流电源去耦。TO-8 和表面贴装封装均采用气密密封,可提供 MIL-STD-883 环境筛选。
特征
- 噪声极低:1.8 dB(典型值)
- 高功率附加效率:20%
- 高输出功率:+19 dBm(典型值)
应用
- 航天与国防
- 主义
产品规格
零件号
CA1212
描述
(非 RoHS)可级联,低电压
最小频率(MHz)
100
最大频率(MHz)
1200
增益(分贝)
14.0
OIP3(dBm)
29.0
输出 P1dB(dBm)
19.00
噪声系数(分贝)
1.8
包裹类别
连接器
偏压(V)
5个
偏置电流(mA)
70
相关型号
MAAL-010705 A75-3 MAAM-008198-00A162 XL1007-QT
CMM0511-QT MAAM02350-A2 CPA48 A5-6
MAAMSS0045 A17 MAAM-008200-000A83 SMA88
AM-162-PIN SMA28-2 MAAL-010706 A56
MAAM-007272-0CA514 A21-1 MAAM-007272-SMA514 B1005-BD
XP1080-QU SMA19-1 SMA73 SMRA89-1
A77-1 MAAM-009320 AMC-146-SMA A77
MAAM-007501-CA2002 EA53-2 MAAM71200 CA74
CRA66 SMRA69 A5-5 A29-1
A32 SMA4011 CA1212 PA48
为你推荐
-
TGC4407-SM 射频混频器2024-05-13 14:32
产品型号:TGC4407-SM 射频频率:21500 至 32500 兆赫 本振频率:11000 至 16000 兆赫 中频频率:0 至 7000 兆赫 电源电流:65毫安 包裹:QFN -
AMMP-6333-TR1G 2024-05-13 12:32
产品型号:AMMP-6333-TR1G 頻率:18GHz ~ 33GHz 供電電流:230 mA 功耗:2 W 增益:16 dB 電源電壓:2 V -
MA4AGSW1A2023-09-20 19:00
产品型号:MA4AGSW1A 零件号:MA4AGSW1A 描述:50 MHz 至 50 GHz 的 SPST 引脚二极管开关 配置:单刀单掷 频率:50 MHz 至 50 GHz -
MAVR-011020-14110P2023-09-20 18:46
产品型号:MAVR-011020-14110P 零件号:MAVR-011020-14110P 描述:可焊接 GaAs 恒定伽马倒装芯片变容二极管 伽马:0.90 总电容(pF):0.025 -
MADP-000907-14020P2023-09-20 18:39
产品型号:MADP-000907-14020P 零件号:MADP-000907-14020P 描述:铝镓砷针二极管 击穿电压,最小值(V:45 电阻(欧姆):5.20 -
MAVR-000120-14110P2023-09-20 18:26
产品型号:MAVR-000120-14110P 零件号:MAVR-000120-14110P 描述:GaAs超突变 伽马:1.00 总电容(pF):0.350 -
MA4PBL0272023-09-20 18:17
产品型号:MA4PBL027 零件号:MA4PBL027 描述:硅PIN二极管 击穿电压,最小值(V:90 电阻(欧姆):4.00 -
SKY73035-11 射频混频器2023-07-10 17:40
产品型号:SKY73035-11 零件号:SKY73035-11 射频频率:2300 至 2700 兆赫 中频频率:50 至 500 兆赫 转换增益:7.6分贝 -
SKY73069-11 射频混频器2023-07-10 17:17
产品型号:SKY73069-11 零件号:SKY73069-11 描述:上变频混频器、下变频混频器 射频频率:700 至 1000 MHz 中频频率:50 至 300 兆赫 -
CDF7621-000 硅肖特基二极管芯片2023-07-10 15:20
产品型号:CDF7621-000 产品型号:CDF7621-000 C J (pF):0.10 V F @ 1 mA:270-350