NPT25100B
GaN 放大器 28 V，125 W，2.1 - 2.7 GHz
NPT25100 硅基 GaN HEMT D 型放大器针对 2.1 - 2.7 GHz 运行进行了优化。该器件支持 CW、脉冲和线性操作，输出功率水平高达 125 W，采用带螺栓固定法兰的行业标准塑料封装。
特征
- 高可靠性镀金工艺
- 热增强行业标准封装
- 100% 射频测试
- 可在高达 32V 的电压下运行
- 10W 线性功率 @ 2.0% EVM，用于单载波 OFDM，10.3dB 峰值/平均值，10MHz 信道带宽，16.5dB 增益，26% 效率
- 90W P3dB 连续波功率
- 125W P3dB 峰包功率
- 符合 RoHS 标准
产品规格
零件号
NPT25100B
描述
GaN 放大器 28 V，125 W，2.1 - 2.7 GHz
最小频率(MHz)
2100
最大频率(MHz)
2700
电源电压(V)
28
PSAT(W)
125.0
增益（分贝）
16.5
效率
26
测试频率(GHz)
2.50
包裹
法兰陶瓷包
包裹类别
陶瓷制品
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