NPTB00004A
GaN 放大器 28 V，5 W，直流 - 6 GHz
NPTB00004A GaN HEMT 是一款宽带晶体管，针对 DC-6 GHz 操作进行了优化。该器件专为 CW、脉冲和线性操作而设计，输出功率水平高达 5W (37 dBm)，采用行业标准表面贴装 SOIC 塑料封装。在低于 3GHz 的频率下，NPTB00004A 是 NPTB00004 的替代品。对于负载牵引数据和非线性模型，请发送电子邮件至 applications@macom.com。
特征
- 57% 漏极效率 @ 2.5 GHz
- GaN on Si HEMT D 模式晶体管
- 可调谐从 DC - 6 GHz
- 行业标准 SOIC 塑料封装
- 28V操作
产品规格
零件号
NPTB00004A
描述
GaN 放大器 28 V，5 W，直流 - 6 GHz
最小频率(MHz)
0
最大频率(MHz)
6000
电源电压(V)
28
PSAT(W)
5.0
增益（分贝）
17.0
效率
>50
测试频率(GHz)
2.50
包裹
SOIC8NE
包裹类别
塑料
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