企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

深圳市鑫琅图科技有限公司

射频微波器件代理销售

4.4k 内容数 25w+ 浏览量 63 粉丝

MAPC-A2021 碳化​​硅基 GaN HEMT D 型放大器

型号: MAPC-A2021

--- 产品参数 ---

  • 零件号 MAPC-A2021
  • 描述 GaN 放大器 32 V,8 W 1.8 - 2.7 GHz
  • 最小频率(MHz) 1800
  • 最大频率(MHz) 2700

--- 产品详情 ---

 

 

MAPC-A2021

GaN 放大器 32 V,8 W 1.8 - 2.7 GHz - MACOM PURE CARBIDE

MAPC-A2021 是一款碳化​​硅基 GaN HEMT D 型放大器,适用于平均功率为 1W 的应用,并针对 1.8 - 2.7 GHz 调制信号操作进行了优化。该器件支持脉冲和线性操作,峰值输出功率水平高达 8 W (39 dBm),采用 4 mm 表面贴装 QFN 封装。

 

 

特征

  • MACOM PURE CARBIDE® 放大器系列
  • 针对 1.8 - 2.7 GHz 应用进行了优化
  • 宽带性能的高终端阻抗
  • 26 - 32 伏操作
  • 低热阻
  • 100% 射频测试
  • 符合 RoHS* 标准

 

 

产品规格

零件号

 

MAPC-A2021

描述

 

GaN 放大器 32 V,8 W 1.8 - 2.7 GHz - MACOM PURE CARBIDE

最小频率(MHz)

 

1800

最大频率(MHz)

 

2700

电源电压(V)

 

32

PSAT(W)

 

8.0

增益(分贝)

 

16.4

包裹

 

4个

包裹类别

 

QFN

 

 

 

为你推荐

  • TGC4407-SM 射频混频器2024-05-13 14:32

    产品型号:TGC4407-SM 射频频率:21500 至 32500 兆赫 本振频率:11000 至 16000 兆赫 中频频率:0 至 7000 兆赫 电源电流:65毫安 包裹:QFN
  • AMMP-6333-TR1G 2024-05-13 12:32

    产品型号:AMMP-6333-TR1G 頻率:18GHz ~ 33GHz 供電電流:230 mA 功耗:2 W 增益:16 dB 電源電壓:2 V
  • MA4AGSW1A2023-09-20 19:00

    产品型号:MA4AGSW1A 零件号:MA4AGSW1A 描述:50 MHz 至 50 GHz 的 SPST 引脚二极管开关 配置:单刀单掷 频率:50 MHz 至 50 GHz
  • MAVR-011020-14110P2023-09-20 18:46

    产品型号:MAVR-011020-14110P 零件号:MAVR-011020-14110P 描述:可焊接 GaAs 恒定伽马倒装芯片变容二极管 伽马:0.90 总电容(pF):0.025
  • MADP-000907-14020P2023-09-20 18:39

    产品型号:MADP-000907-14020P 零件号:MADP-000907-14020P 描述:铝镓砷针二极管 击穿电压,最小值(V:45 电阻(欧姆):5.20
  • MAVR-000120-14110P2023-09-20 18:26

    产品型号:MAVR-000120-14110P 零件号:MAVR-000120-14110P 描述:GaAs超突变 伽马:1.00 总电容(pF):0.350
  • MA4PBL0272023-09-20 18:17

    产品型号:MA4PBL027 零件号:MA4PBL027 描述:硅PIN二极管 击穿电压,最小值(V:90 电阻(欧姆):4.00
  • SKY73035-11 射频混频器2023-07-10 17:40

    产品型号:SKY73035-11 零件号:SKY73035-11 射频频率:2300 至 2700 兆赫 中频频率:50 至 500 兆赫 转换增益:7.6分贝
  • SKY73069-11 射频混频器2023-07-10 17:17

    产品型号:SKY73069-11 零件号:SKY73069-11 描述:上变频混频器、下变频混频器 射频频率:700 至 1000 MHz 中频频率:50 至 300 兆赫
  • CDF7621-000 硅肖特基二极管芯片2023-07-10 15:20

    产品型号:CDF7621-000 产品型号:CDF7621-000 C J (pF):0.10 V F @ 1 mA:270-350