NPTB00004B
GaN 功率晶体管，28 V，5 W DC - 6 GHz
NPTB00004B GaN HEMT 是一款针对 DC - 6 GHz 操作优化的功率晶体管。该器件支持 CW、脉冲和线性操作，输出功率水平高达 5 W (37 dBm)，采用行业标准表面贴装塑料封装。
特征
- 57% 漏极效率 @ 2.5 GHz
- GaN on Si HEMT D 模式晶体管
- 可调谐从 DC - 6 GHz
- 行业标准 SOIC 塑料封装
- 28V操作
- 符合 RoHS* 标准
- 100 % 射频测试
- 14.8 分贝增益 @ 2.5 GHz
- 28 伏操作
- 适用于线性和饱和应用
产品规格
零件号
NPTB00004B
描述
GaN 功率晶体管，28 V，5 W DC - 6 GHz
最小频率(MHz)
0
最大频率(MHz)
6000
电源电压(V)
28
PSAT(W)
5.0
增益（分贝）
14.8
效率
>50
测试频率(GHz)
2.50
包裹
SOIC8
包裹类别
塑料
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