Qorvo 的 UF3C065040B3 650 V、42 mohm SiC FET 产品将其高性能第 3 代 SiC JFET 与 FET 优化 MOSFET 共同封装，以生产当今市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该系列不仅具有超低栅极电荷，而且具有同类额定值器件中最好的反向恢复特性。这些器件采用 D2PAK-3L 封装，与推荐的 RC 缓冲器一起使用时非常适合开关电感负载，以及任何需要标准栅极驱动的应用。
主要特征
- 导通电阻 (RDS(on))：42 mohm（典型值）
- 最高工作温度：175 °C
- 优秀的反向恢复
- 低栅极电荷
- 低本征电容
- ESD 保护，HBM 2 级
VDS 最大值(V) | 650 |
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) | 42 |
内径最大值(A) | 41 |
一代 | 第 3 代 |
Tj 最大值(°C) | 175 |
汽车资质 | 是的 |
包装类型 | D2PAK-3L |
UF3C065030B3
UF3C065030K3S
UF3C065030K4S
UF3C065030T3S
UF3C065040B3
UF3C065040K3S
UF3C065040K4S
UF3C065040T3S
UF3C065080B3
UF3C065080B7S
UF3C065080K3S
UF3C065080K4S
UF3C065080T3S
UF3C120040K3S
UF3C120040K4S
UF3C120080B7S
UF3C120080K3S
UF3C120080K4S
UF3C120150B7S
UF3C120150K4S
UF3C120400B7S
UF3C120400K3S
UF3C170400B7S
UF3C170400K3S
UF3SC065007K4S
UF3SC065030B7S
UF3SC065040B7S
UF3SC120009K4S
UF3SC120016K3S
UF3SC120016K4S
UF3SC120040B7S
UF4C120053K3S
UF4C120053K4S
UF4C120070K3S
UF4C120070K4S
UF4SC120023K4S
UF4SC120030K4S
UJ3C065030B3
UJ3C065030K3S
UJ3C065030T3S
UJ3C065080B3
