Qorvo 的 UF3C065080B7S 650 V、85 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于独特的级联电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MOSFET 时需要最少的重新设计。该器件采用 D2PAK-7L 封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关电感负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
主要特征
- 导通电阻 (RDS(on))：85 mohm（典型值）
- 最高工作温度：175 °C
- 出色的反向恢复：Qrr = 69 nC
- 低体二极管 VFSD：1.54 V
- 低栅极电荷：QG = 23 nC
- 阈值电压 VG(th)：4.8 V（典型值）允许 0 至 15 V 驱动
VDS 最大值(V) | 650 |
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) | 85 |
内径最大值(A) | 27 |
一代 | 第 3 代 |
Tj 最大值(°C) | 175 |
汽车资质 | 不 |
包装类型 | D2PAK-7L |
UJ3C065080K3S
UJ3C065080T3S
UJ3C120040K3S
UJ3C120070K3S
UJ3C120070K4S
UJ3C120080K3S
UJ3C120150K3S
UJ4C075018K3S
UJ4C075018K4S
UJ4C075023B7S
UJ4C075023K3S
UJ4C075023K4S
UJ4C075033B7S
UJ4C075033K3S
UJ4C075033K4S
UJ4C075044B7S
UJ4C075044K3S
UJ4C075044K4S
UJ4C075060B7S
UJ4C075060K3S
UJ4C075060K4S
UJ4SC075005L8S
UJ4SC075006K4S
UJ4SC075008L8S
UJ4SC075009B7S
UJ4SC075009K4S
UJ4SC075011B7S
UJ4SC075011K4S
UJ4SC075018B7S
UJ4SC075018L8S
