Qorvo 的 UJ4SC075011B7S 是一款 750 V、11 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MOSFET 时需要最少的重新设计。该器件采用 D2PAK-7L 封装，具有超低栅极电荷和卓越的反向恢复特性，非常适合开关电感负载和任何需要标准栅极驱动的应用。
主要特征
- 导通电阻 (RDS(on))：11 mohm（典型值）
- 最高工作温度：175 °C
- 出色的反向恢复：Qrr = 274 nC
- 低体二极管 VFSD：1.1 V
- 低栅极电荷：QG = 75 nC
- 阈值电压 VG(th)：4.5 V（典型值）允许 0 至 15 V 驱动
VDS 最大值(V) | 750 |
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) | 11 |
内径最大值(A) | 104 |
一代 | 第 4 代 |
Tj 最大值(°C) | 175 |
汽车资质 | 不 |
包装类型 | D2PAK-7L |
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UF3C065030K3S
UF3C065030K4S
UF3C065030T3S
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UF3C065080B7S
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