--- 产品参数 ---
- 零件号 TT49777E-TR
- 描述 10 W,陶瓷带通滤波器,频率范围为 3195 至 3205
- 频率 3195 至 3205 兆赫
- 中心频率 3200兆赫
--- 产品详情 ---
Skyworks Solutions 的 TT49777E-TR 是一款带通滤波器,频率 3195 至 3205 MHz,中心频率 3200 MHz,插入损耗 3.1 dB,抑制 50 至 60 dBc,上抑制 50 dB。标签:表面贴装,陶瓷滤波器。有关 TT49777E-TR 的更多详细信息,请参见下文。
产品规格
产品详情
零件号
TT49777E-TR
制造商
思佳讯解决方案
描述
10 W,陶瓷带通滤波器,频率范围为 3195 至 3205 MHz
一般参数
类型
陶瓷过滤器
应用行业
军事、广播
申请类型
S 波段应用,用于军事和国土安全无线电通信、地球探测、无线电定位的便携式收发器
应用
S波段,收音机
频率
3195 至 3205 兆赫
中心频率
3200兆赫
插入损耗
3.1分贝
拒绝
50 至 60 分贝
上拒绝
50分贝
降低拒绝
60分贝
力量
10 瓦
回波损耗
12分贝
阻抗
50 欧姆
包装类型
表面贴装
贮存温度
-40 至 85 摄氏度
年级
商业的
RoHS
是的
相关型号
TT49764E-TR
TT49765E-TR
TT49766E-TR
TT49767E-TR
TT49777E-TR
SKY66430-11
DC08-73LF
DC09-73LF
SKY72310-11
SKY72300-21
SKY72300-362
SKY72310-362LF
CLA4611-000
SMP1330 系列
CLA4609-000
CLA4607-000
CLA4605-000
CLA4610-000
CLA4608-000
CLA4603-000
CLA4602-000
CLA4609-086LF
CLA4605-085LF
CLA4608-085LF
CLA4606-085LF
CLA4610-085LF
为你推荐
-
TGC4407-SM 射频混频器2024-05-13 14:32
产品型号:TGC4407-SM 射频频率:21500 至 32500 兆赫 本振频率:11000 至 16000 兆赫 中频频率:0 至 7000 兆赫 电源电流:65毫安 包裹:QFN -
AMMP-6333-TR1G 2024-05-13 12:32
产品型号:AMMP-6333-TR1G 頻率:18GHz ~ 33GHz 供電電流:230 mA 功耗:2 W 增益:16 dB 電源電壓:2 V -
MA4AGSW1A2023-09-20 19:00
产品型号:MA4AGSW1A 零件号:MA4AGSW1A 描述:50 MHz 至 50 GHz 的 SPST 引脚二极管开关 配置:单刀单掷 频率:50 MHz 至 50 GHz -
MAVR-011020-14110P2023-09-20 18:46
产品型号:MAVR-011020-14110P 零件号:MAVR-011020-14110P 描述:可焊接 GaAs 恒定伽马倒装芯片变容二极管 伽马:0.90 总电容(pF):0.025 -
MADP-000907-14020P2023-09-20 18:39
产品型号:MADP-000907-14020P 零件号:MADP-000907-14020P 描述:铝镓砷针二极管 击穿电压,最小值(V:45 电阻(欧姆):5.20 -
MAVR-000120-14110P2023-09-20 18:26
产品型号:MAVR-000120-14110P 零件号:MAVR-000120-14110P 描述:GaAs超突变 伽马:1.00 总电容(pF):0.350 -
MA4PBL0272023-09-20 18:17
产品型号:MA4PBL027 零件号:MA4PBL027 描述:硅PIN二极管 击穿电压,最小值(V:90 电阻(欧姆):4.00 -
SKY73035-11 射频混频器2023-07-10 17:40
产品型号:SKY73035-11 零件号:SKY73035-11 射频频率:2300 至 2700 兆赫 中频频率:50 至 500 兆赫 转换增益:7.6分贝 -
SKY73069-11 射频混频器2023-07-10 17:17
产品型号:SKY73069-11 零件号:SKY73069-11 描述:上变频混频器、下变频混频器 射频频率:700 至 1000 MHz 中频频率:50 至 300 兆赫 -
CDF7621-000 硅肖特基二极管芯片2023-07-10 15:20
产品型号:CDF7621-000 产品型号:CDF7621-000 C J (pF):0.10 V F @ 1 mA:270-350