制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: Yes
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23F-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 2 A
Rds On-漏源导通电阻: 400 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV
Qg-栅极电荷: 8.3 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: U-MOSVI
系列: SSM3J356R
商标: Toshiba
配置: Single
正向跨导 - 最小值: 4.7 S
高度: 0.9 mm
长度: 2.9 mm
产品类型: MOSFET
包装数量：3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 48 ns
典型接通延迟时间: 29 ns
宽度: 1.3 mm
单位重量: 11 mg
