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优起辰电子

主要从事半导体、电子元器件、集成电路产品、电子产品、通讯设备、机电设备、计算机软硬件的技术开发与销售；国内贸易；经营进出口业务。

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场效应晶体管STW12N120K5

场效应管

型号： STW12N120K5

品牌： ST(意法)

--- 产品参数 ---

型号 STW12N120K5
品牌 ST意法半导体
封装 TO-247
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 1.2KV
连续漏极电流(Id) 12A
导通电阻(RDS) 620mΩ
阈值电压(Vgs) 4V

--- 产品详情 ---

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

RoHS: Yes

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV

Id-连续漏极电流: 12 A

Rds On-漏源导通电阻: 690 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 44.2 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 250 W

通道模式: Enhancement

商标名: MDmesh

系列: STW12N120K5

封装: Tube

商标: STMicroelectronics

配置: Single

产品类型: MOSFET

包装数量：600

子类别: MOSFETs

单位重量: 6 g