优势和特点：
激光调整高精度
5.00 V ± 2.0 mV （M级）
经过调整的温度系数
2 ppm/°C（最大值，0°C至70°C，M级）
5 ppm/°C（最大值，-40°C至+85°C，B级和L级）
10 ppm/°C（最大值，-55°C至+125°C，T级）
低噪声：100 nV/√Hz
降噪能力
输出调整能力
提供符合MIL-STD-883标准的版本
提供工业温度范围SOIC封装
输出源电流或吸电流：10 mA
AD586代表了最先进技术的重大进步单片电压参考。使用专利离子植入埋地齐纳二极管和激光晶片修整的高稳定性薄膜电阻器，AD586以低成本提供卓越的性能。
AD586提供了比大多数其他产品更高的性能5 V参考。
因为AD586采用了行业标准引脚，许多系统可以立即升级与AD586。隐藏的齐纳方法提供了更低的参考设计噪声和漂移比带隙电压参考。AD586提供一个降噪引脚，可用于进一步降低埋在地下的齐纳产生的噪音水平。
推荐使用AD586作为8-，10-，需要外部精度的12位、14位或16位dac参考。该装置也适合于逐次逼近或集成高达14位精度的adc一般来说，可以提供比标准片上更好的性能参考文献AD586J、AD586K、AD586L、AD586M，0℃~ 70℃操作;AD586A和AD586B分别为指定为−40°C至+85°C操作;公元586年代和AD586T的工作温度为−55℃~ +125℃。
制造商：Analog Devices Inc.
制造商编号：AD586TQ/883B
产品种类: 参考电压
封装 / 箱体: CDIP-8
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 125 C
