50-W；7.9 – 9.6 GHz；50欧姆；输入/输出匹配 GaN HEMT
Wolfspeed 的 CGHV96050F1 是碳化硅 (SiC) 基板上的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与其他技术相比，这种 GaN 内部匹配 (IM) FET 具有出色的功率附加效率。与硅或砷化镓相比，GaN具有更优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与 GaAs 晶体管相比，GaN HEMT 还提供更高的功率密度和更宽的带宽。该 IM FET 采用金属/陶瓷法兰封装，可实现最佳电气和热性能。
特征
- 7.9 – 8.4 GHz 运行
- 80 W POUT（典型值）
- >13 dB 功率增益
- 33% 典型线性 PAE
- 50 欧姆内部匹配
- <0.1 dB 功率下降
应用领域
- 卫星通讯
- 地面宽带
CMPA5585030F-AMP
CMPA5585030F
CMPA5585030D
CGHV96050F1-AMP
CGHV96050F1
CMPA1H1J050F-AMP
CMPA1H1J050F
CGHV50200F-AMP
CGHV50200F
