--- 产品参数 ---
- 最小频率 1.2GHz
- 最大频率 1.4GHz
- 工作电压 50V
--- 产品详情 ---
SiC HEMT 上的高功率 RF GaN;600瓦;50V;1200MHz 至 1400MHz
GTVA126001EC 和 GTVA126001FC 是 600 瓦碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT),适用于 1200 至 1400 MHz 频段。它们具有输入匹配功能;高效率; 和耐热增强型封装。
特征
- 输入匹配
- 典型的脉冲连续波性能(AB 级);1200兆赫;50V;300μs脉冲宽度;10%占空比;输出功率(P3dB)=600W;排水效率=65%;增益 = 18 分贝
- 在脉冲条件下能够承受 600 W 峰值功率下的 10:1 负载失配(所有相位角):300 μs 脉冲宽度;10%占空比;电源电压 = 50V;IDQ=100毫安
- 人体模型 1C 级(根据 AnSI/ESDA/JEDEC JS-001)
- 无铅且符合 RoHS 标准
应用领域
- 雷达放大器
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