栅极电源驱动器、 晶体管 MOSFET
型号:
VNP35N07-E
品牌:
ST(意法)
参数
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | STMicroelectronics |
厂商名称 | ST(意法半导体) |
零件包装代码 | SFM |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 18 weeks |
Samacsys Description | NULL |
配置 | COMPLEX |
最小漏源击穿电压 | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 35 A |
最大漏极电流 (ID) | 35 A |
最大漏源导通电阻 | 0.035 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 40 W |
参考标准 | AEC-Q101 |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 22500 ns |
最大开启时间(吨) | 804200 ns |