MDT10P55B1S，MICROCHIP/微芯，1K个字和状态RA的72个字节 MCU
MDT10P55B1S，MICROCHIP/微芯，1K个字和状态RA的72个字节 MCU
MDT10P55B1S
1.概述
这种基于EPROM的8位微控制器采用全稳态COS技术工艺，实现了更高、更快、812的低功耗和高抗噪性。片上存储器，包括ROll的1K个字和状态RA的72个字节
特点
以下是硬件和软件的一些功能：
6全COS静态设计
8位数据总线
片上EPROM大小：lK字
内部RAW大小：72字节
36个单字指令
14位指令
2层堆叠6
工作电压：2.5 V～5.5 V
工作频率：0-20 MHz
在除分支指令外的所有单个cyele指令中，70 IHz下最快的执行时间为200 ns
寻址模式不包括直接寻址模式、间接寻址模式和相对寻址模式
通电复位
3电源边缘检测器复位
省电睡眠模式
可以通过以下方式选择j种类型的振荡器
编程选项：
INTRC-内部4 MHz RC振荡器
RC-低成本RC振荡器
低频晶体振荡器
XTAL-标准晶体振荡器
HFXT-高频erystal振荡器3振荡器启动时间可通过选择
编程选项：
20毫秒、40毫秒、80毫秒
8位实时时钟/计数器（RTCC），带8位
可编程预分频器
基于片上RC振荡器的WatehdogTimer（wDT）
换针后从睡眠中醒来
应用程序
该NIDT10P55B的应用领域从家电电机控制、高速汽车到低功率远程
发射器/接收器、小型仪器、充电器。
玩具、汽车和个人电脑。。。
