型号 TPC6111丝印 VB8338品牌 VBsemi参数 - 频道类型 P沟道- 额定电压 -30V- 额定电流 -4.8A- RDS(ON) 49mΩ @ 10V，54mΩ @ 4.5V- 门源电压范围 ±20V- 门源阈值电压范围 -1V~-3V- 封装类型 SOT23-6应用简介 TPC6111（丝印 VB8338）是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介 详细参数说明 TPC6111是一款P沟道功率MOSFET，具有低电导压降和高电流承载能力。主要参数包括额定电压为-30V，额定电流为-4.8A，RDS(ON)为49mΩ @ 10V，54mΩ @ 4.5V，门源电压范围为±20V，门源阈值电压范围为-1V~-3V，封装类型为SOT23-6。应用领域 TPC6111（VB8338）适用于多种领域和应用场景，主要用于需要P沟道功率MOSFET的电路。以下是一些典型的应用领域 1. 电源管理模块 TPC6111可用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，改善系统的功耗和效率。2. 电动工具和家用电器 它可应用于电动工具和家用电器中的电机驱动电路，提供高效、可靠的电力输出。3. 电池管理系统 TPC6111可用于电池管理系统中的充放电控制电路，提供高效能和可靠的电池管理。综上所述，TPC6111（VB8338）是一款P沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、电动工具、家用电器和电池管理系统等领域模块。它具有低电导压降和高电流承载能力，适用于需要高功率和高效能的电路。
--- 产品参数 ---
- 频道类型 P沟道
- 额定电压 -30V
- 额定电流 -4.8A
- RDS(ON) 49mΩ @ 10V，54mΩ @ 4.5V
- 封装类型 SOT23-6
- 门源电压范围 ±20V
- 门源阈值电压范围 -1V~-3V
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
为你推荐
-
80N4F6-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:34
产品型号：80N4F6-VB 封装：TO252 沟道：Single-N -
80N40LG-VB TO263一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:33
产品型号：80N40LG-VB TO263 封装：TO263 沟道：Single-N -
80N40LG-VB TO262一款Single-N沟道TO262的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:31
产品型号：80N40LG-VB TO262 封装：TO262 沟道：Single-N -
80N40DG-VB TO263一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:30
产品型号：80N40DG-VB TO263 封装：TO263 沟道：Single-N -
80N40DG-VB TO262一款Single-N沟道TO262的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:29
产品型号：80N40DG-VB TO262 封装：TO262 沟道：Single-N -
80N3LLH6-VB一款Single-N沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:22
产品型号：80N3LLH6-VB 封装：DFN8(5X6) 沟道：Single-N -
80N30W-VB一款Single-N沟道TO3P的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:13
产品型号：80N30W-VB 封装：TO3P 沟道：Single-N -
80N20M5-VB TO263一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:12
产品型号：80N20M5-VB TO263 封装：TO263 沟道：Single-N -
80N20M5-VB TO220一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:11
产品型号：80N20M5-VB TO220 封装：TO220 沟道：Single-N -
80N10-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:09
产品型号：80N10-VB 封装：TO220 沟道：Single-N