--- 产品参数 ---
- 类型 N+P沟道
- 最大耐压 ±30V
- 最大电流 9A/-6A
- 导通电阻 15mΩ/42mΩ @10V, 19mΩ/50@4.5V
- 门源电压 20Vgs (±V)
- 门阈电压 ±1.65Vth
- 封装 封装 SOP8
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 MDS9754URH
丝印 VBA5325
品牌 VBsemi
详细参数说明
类型 N+P沟道MOSFET
最大耐压 ±30V
最大电流 9A/6A
导通电阻 15mΩ/42mΩ @10V, 19mΩ/50mΩ @4.5V
门源电压 20Vgs (±V)
门阈电压 ±1.65Vth
封装 SOP8
应用简介
MDS9754URH是一款N+P沟道MOSFET,适用于需要同时控制N沟道和P沟道MOSFET的应用。其最大耐压为±30V,最大电流为9A/6A,具有低导通电阻和高性能。
该器件广泛用于多个领域的模块设计,包括但不限于
1. 电源管理模块 可用于DCDC变换器和电池管理系统。
2. 驱动模块 可用于驱动电机、电磁阀和电动工具等。
3. 逆变器模块 可用于太阳能逆变器和电动车充电器等。
总之,MDS9754URH适用于需要同时控制N沟道和P沟道MOSFET的高功率应用,如电源管理、驱动模块和逆变器模块等。
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