--- 产品参数 ---
- 类型 N+P沟道
- 最大耐压 ±60V
- 最大电流 35A/18A
- 导通电阻 38mΩ/58mΩ @10V, 45mΩ/70mΩ
- 门源电压 20Vgs (±V)
- 门阈电压 ±1~3Vth
- 封装 TO2525
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 APM3048ADU4丝印 VBE5638品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N+P沟道MOSFET 最大耐压 ±60V 最大电流 35A/18A 导通电阻 38mΩ/58mΩ @10V, 45mΩ/70mΩ @4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 ±1~3Vth 封装 TO2525应用简介 APM3048ADU4是一款N+P沟道MOSFET,适用于需要同时控制N沟道和P沟道MOSFET的应用。其最大耐压为±60V,最大电流为35A/18A,具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计,主要包括 1. 电源管理模块 适用于需要同时控制N沟道和P沟道MOSFET的高功率DCDC转换器和逆变器等。2. 电机驱动模块 可用于大功率电机驱动和电机控制系统。3. 高效逆变器模块 适用于太阳能逆变器、UPS电源系统等。总之,APM3048ADU4适用于需要同时控制N沟道和P沟道MOSFET的高功率应用领域的模块设计,包括电源管理、电机驱动和逆变器模块等。
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