型号 NTGS3455T1G丝印 VB8338品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 4.8A 导通电阻 49mΩ @10V, 54mΩ @4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1~3Vth 封装 SOT236应用简介 NTGS3455T1G是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制和负载开关的应用。其最大耐压为30V，最大电流为4.8A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括 1. 电源管理模块 适用于负极电源控制和负载开关控制的应用。2. 转换器模块 可用于负极电源控制的DCDC转换器和逆变器。3. 汽车电子模块 适用于汽车电子系统中的负极电源控制和负载开关。总之，NTGS3455T1G适用于负极电压控制和负载开关等应用领域的模块设计，主要用于电源管理、转换器模块和汽车电子模块等。
NTGS3455T1G-VB-SOT23-6封装P沟道MOSFET
型号：
NTGS3455T1G-VB
品牌：
VBsemi(微碧)
