--- 产品参数 ---
- 类型 N沟道
- 最大耐压 100V
- 最大电流 3.2A
- 导通电阻 100mΩ @10V, 127mΩ @4.5V
- 门源电压 20Vgs (±V)
- 门阈电压 2~4Vth
- 封装 SOT236
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 FDC3512丝印 VB7101M品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 100V 最大电流 3.2A 导通电阻 100mΩ @10V, 127mΩ @4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 2~4Vth 封装 SOT236应用简介 FDC3512是一款N沟道MOSFET,适用于低压和中等电流的应用。其最大耐压为100V,最大电流为3.2A,具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计,主要包括 1. 电源管理模块 适用于低压电源管理和负载开关控制。2. 电流控制模块 可用于电流调节和负载开关控制。3. 消费电子产品 适用于电池供电设备和便携式电子产品等。总之,FDC3512适用于低压和中等电流应用领域的模块设计,包括电源管理、电流控制和消费电子产品等。
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