型号 Si2338DST1GE3丝印 VB1330品牌 VBsemi参数 频道类型 N沟道 额定电压 30V 额定电流 6.5A RDS(ON) 30mΩ @ 10V，33mΩ @ 4.5V 门源电压范围 ±20V 门源阈值电压范围 1.2V~2.2V封装类型 SOT23应用简介 Si2338DST1GE3（丝印 VB1330）是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介 详细参数说明 Si2338DST1GE3是一款N沟道功率MOSFET，适用于电感负载、开关电源和直流直流转换器等需要高电流承载能力和低导通电阻的应用。主要参数包括额定电压为30V，额定电流为6.5A，RDS(ON)为30mΩ @ 10V，33mΩ @ 4.5V，门源电压范围为±20V，门源阈值电压范围为1.2V~2.2V，封装类型为SOT23。应用领域 Si2338DST1GE3（VB1330）适用于多种领域和应用场景，主要用于需要N沟道功率MOSFET的高电流电路。以下是一些典型的应用领域 1. 电源管理模块 Si2338DST1GE3可用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，改善系统的功耗和效率。2. 电动工具和家用电器 它可应用于电动工具和家用电器中的电机驱动电路，提供高效、可靠的电力输出。3. 汽车电子系统 Si2338DST1GE3适用于汽车电子系统中的电源管理、电机驱动和照明控制等方面，满足汽车电子系统对高电流和高功率的要求。4. 工控系统和通信设备 Si2338DST1GE3适用于工控系统和通信设备中的开关电路，提供稳定的电源管理和电流控制。综上所述，Si2338DST1GE3（VB1330）是一款N沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、电动工具、汽车电子系统、工控系统和通信设备等领域模块。它具有高电流承载能力和低导通电阻的特点，适用于需要高功率和高效能的电路。
--- 产品参数 ---
- 频道类型 N沟道
- 额定电压 30V
- 额定电流 6.5A
- RDS(ON) 30mΩ @ 10V，33mΩ @ 4.5V
- 门源电压范围 ±20V
- 门源阈值电压范围 1.2V~2.2V
- 封装类型 SOT23
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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