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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SI4840DY-T1-E3-VB-SOP8封装N沟道MOSFET

型号: SI4840DY-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 类型 N沟道
  • 额定电压(VDS) 40V
  • 额定电流(ID) 10A
  • (RDS(ON)) 14mΩ@10V, 16mΩ@4.5V
  • 阈值电压(Vth) 1.6V
  • 封装类型 SOP8

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

型号  SI4840DYT1E3丝印  VBA1410品牌  VBsemi参数说明  MOSFET类型  N沟道 额定电压(VDS)  40V  额定电流(ID)  10A  开通电阻(RDS(ON))  14mΩ@10V, 16mΩ@4.5V  阈值电压(Vth)  1.6V  封装类型  SOP8应用简介 这款SI4840DYT1E3 MOSFET是一款高压N沟道MOSFET,适用于中高压应用场景。它具有较高的额定电压和额定电流能力,适用于高功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块  电源管理模块 用于高压开关电源、DCDC变换器、逆变器等中高功率电源模块。 电机控制模块 用于高压直流电机驱动、步进电机驱动等中高功率电机控制。 照明模块 用于高压LED驱动、照明开关和控制电路等。 汽车电子模块 用于汽车电池管理、照明控制、电动车控制等中高压汽车电子模块。 通信设备模块 用于高压功率放大、开关模块等中高压通信设备模块。总之,SI4840DYT1E3 MOSFET适用于需要高压高功率N沟道MOSFET的各种应用场景,提供稳定可靠的电流控制和功率转换功能,特别适用于中高压高功率应用的模块。
 

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