型号 IRFR5305TRPBF丝印 VBE2658品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 22A 导通电阻 48mΩ@10V, 57mΩ@4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.5Vth 封装 TO252应用简介 IRFR5305TRPBF是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制和负载开关的高功率应用。其最大耐压为60V，最大电流为22A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括 1. 电源管理模块 可用于负责电源开关和电池管理系统等。2. 汽车电子模块 适用于汽车电子系统中的负极电源控制和负载开关。3. 工业控制模块 可用于工业自动化、机器人控制和电动工具等。总之，IRFR5305TRPBF适用于负极电压控制和负载开关等高功率应用领域的模块设计，主要用于电源管理、汽车电子模块和工业控制模块等。
--- 产品参数 ---
- 类型 P沟道
- 最大耐压 60V
- 最大电流 22A
- 导通电阻 48mΩ@10V, 57mΩ@4.5V
- 门源电压 20Vgs (±V)
- 门阈电压 1.5Vth
- 封装 TO252
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
为你推荐
-
6680M-VB一款Single-N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-18 14:51
产品型号：6680M-VB 封装：SOP8 沟道：Single-N -
6680GM-VB一款Single-N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-18 14:50
产品型号：6680GM-VB 封装：SOP8 沟道：Single-N -
6680BGM-VB一款Single-N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-18 14:49
产品型号：6680BGM-VB 封装：SOP8 沟道：Single-N -
6680AGM-VB一款Single-N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-18 14:48
产品型号：6680AGM-VB 封装：SOP8 沟道：Single-N -
6679-VB TO252一款Single-P沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-18 14:46
产品型号：6679-VB TO252 封装：TO252 沟道：Single-P -
6679S-VB TO263一款Single-P沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-18 14:43
产品型号：6679S-VB TO263 封装：TO263 沟道：Single-P -
6679S-VB TO252一款Single-P沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-18 14:41
产品型号：6679S-VB TO252 封装：TO252 沟道：Single-P -
6679P-VB一款Single-P沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-18 14:39
产品型号：6679P-VB 封装：TO220 沟道：Single-P -
6679H-VB一款Single-P沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-18 14:37
产品型号：6679H-VB 封装：TO252 沟道：Single-P -
6679GS-VB一款Single-P沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-18 14:36
产品型号：6679GS-VB 封装：TO263 沟道：Single-P