--- 产品参数 ---
- 类型 P沟道
- 最大耐压 60V
- 最大电流 22A
- 导通电阻 48mΩ@10V, 57mΩ@4.5V
- 门源电压 20Vgs (±V)
- 门阈电压 1.5Vth
- 封装 TO252
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 IRFR5305TRPBF丝印 VBE2658品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 22A 导通电阻 48mΩ@10V, 57mΩ@4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.5Vth 封装 TO252应用简介 IRFR5305TRPBF是一款P沟道MOSFET,适用于负极电压控制和负载开关的高功率应用。其最大耐压为60V,最大电流为22A,具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计,主要包括 1. 电源管理模块 可用于负责电源开关和电池管理系统等。2. 汽车电子模块 适用于汽车电子系统中的负极电源控制和负载开关。3. 工业控制模块 可用于工业自动化、机器人控制和电动工具等。总之,IRFR5305TRPBF适用于负极电压控制和负载开关等高功率应用领域的模块设计,主要用于电源管理、汽车电子模块和工业控制模块等。
为你推荐
-
AP18T10AGK-HF-VB一款Single-N沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 10:41
产品型号:AP18T10AGK-HF-VB 封装:SOT223 沟道:Single-N -
AP18T10AGI-HF-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 10:38
产品型号:AP18T10AGI-HF-VB 封装:TO220F 沟道:Single-N -
AP18P10GS-VB一款Single-P沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 10:31
产品型号:AP18P10GS-VB 封装:TO263 沟道:Single-P -
AP18P10GM-HF-VB一款Single-P沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 10:30
产品型号:AP18P10GM-HF-VB 封装:SOP8 沟道:Single-P -
AP18P10GJ-HF-VB一款Single-P沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 10:28
产品型号:AP18P10GJ-HF-VB 封装:TO251 沟道:Single-P -
AP18P10GI-VB一款Single-P沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 10:24
产品型号:AP18P10GI-VB一款Single-P沟道TO220F 封装:TO220F 沟道:Single-P -
AP18P10AGJ-HF-VB一款Single-P沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 10:07
产品型号:AP18P10AGJ-HF-VB 封装:TO251 沟道:Single-P -
AP18P10AGH-HF-VB一款Single-P沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-17 09:58
产品型号:AP18P10AGH-HF-VB 封装:TO252 沟道:Single-P -
AP18N50W-VB一款Single-N沟道TO3P的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-16 17:37
产品型号:AP18N50W-VB 封装:TO3P 沟道:Single-N -
AP18N20GS-HF-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-16 17:35
产品型号:AP18N20GS-HF-VB 封装:TO263 沟道:Single-N