--- 产品参数 ---
- 类型 2个N沟道
- 额定电压(VDS) 30V
- 额定电流(ID) 60A
- (RDS(ON)) 4.3mΩ@10V, 4.8mΩ@4.
- 阈值电压(Vth) 1.2V
- 封装类型 DFN8(5X6)
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 FDMS9600S丝印 VBQA3303G品牌 VBsemi参数说明 MOSFET类型 2个N沟道 额定电压(VDS) 30V 额定电流(ID) 60A 开通电阻(RDS(ON)) 4.3mΩ@10V, 4.8mΩ@4.5V 阈值电压(Vth) 1.2V 封装类型 DFN8(5X6)应用简介 这款FDMS9600S MOSFET是一款高功率N沟道MOSFET,适用于需要高功率开关和控制的应用。它具有较高的额定电压和额定电流能力,适用于大功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块 电源管理模块 用于高功率开关电源、DCDC变换器、逆变器等大功率电源模块。 电机控制模块 用于高功率直流电机驱动、步进电机驱动等大功率电机控制。 电动车控制模块 用于电动车电池管理、驱动系统中的功率开关和控制。 工业自动化模块 用于大功率工业控制系统的功率开关和电源模块。 通信基站模块 用于通信基站中的功率放大和开关模块。总之,FDMS9600S MOSFET适用于需要高功率N沟道MOSFET进行大功率开关和功率转换的各种应用场景,提供高可靠性的电流控制和功率转换功能,特别适用于大功率应用的模块。
为你推荐
-
4920M-VB一款Dual-N+N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-12 14:06
产品型号:4920M-VB 封装:SOP8 沟道:Dual-N+N -
4920GM-VB一款Dual-N+N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-12 14:05
产品型号:4920GM-VB 封装:SOP8 沟道:Dual-N+N -
4917N-VB一款Single-N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-12 14:04
产品型号:4917N-VB 封装:SOP8 沟道:Single-N -
4916N-VB一款Single-N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-12 14:01
产品型号:4916N-VB 封装:SOP8 沟道:Single-N -
4913SS-VB一款Dual-P+P沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-12 13:59
产品型号:4913SS-VB 封装:SOP8 沟道:Dual-P+P -
4913NG-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-12 13:57
产品型号:4913NG-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
4910NG-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-12 13:55
产品型号:4910NG-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
4909NG-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-12 13:53
产品型号:4909NG-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
4906NG-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-12 13:52
产品型号:4906NG-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
4905NG-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-12 13:51
产品型号:4905NG-VB 封装:TO252封装 沟道:Single-N