WNM20203/TR详细参数说明 极性 N沟道 额定电压 20V 额定电流 6A 导通电阻 24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V 门源电压 8Vgs (±V) 阈值电压 0.45~1Vth (V) 封装类型 SOT23应用简介 WNM20203/TR是一款N沟道 MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。具有适中的额定电压和额定电流特性，能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制8Vgs (±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，从而实现电流的控制和开关状态的转换。较低的导通电阻有助于降低功耗，提高系统效率。WNM20203/TR采用SOT23封装，适用于各种电路板和模块。该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。由于其适中的额定电压和额定电流特性，WNM20203/TR 特别适合中低功率领域的电路应用，如电源开关、电机驱动器等。总之，WNM20203/TR是一款N沟道 MOSFET，适用于电源管理和功率放大器等应用模块。特别适用于中低功率领域的电路应用，如电源开关、电机驱动器等。
--- 产品参数 ---
- 极性 N沟道
- 额定电压 20V
- 额定电流 6A
- 导通电阻 24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V
- 门源电压 8Vgs (±V)
- 阈值电压 0.45~1Vth (V)
- 封装类型 SOT23
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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